[发明专利]一种微电极及其形成方法在审
| 申请号： | 201910389541.0 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110104609A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;王文武;吴立冬;李永亮;张青竹;殷华湘;杨涛;傅剑宇;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82B1/00;H01B5/14;H01B13/00;B82Y5/00;B82Y10/00;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极层 间隔墙 衬底 掩膜层 刻蚀 绝缘层 微电极 掩蔽 对电极层 硬件要求 电极 图案化 去除 避开 尺度 隔离 申请 | ||
1.一种微电极的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底，所述衬底上形成有图案化的掩膜层；
以所述掩膜层为掩蔽，对所述衬底进行刻蚀，形成所述衬底上的间隔墙，所述间隔墙在底部的宽度大于顶部的宽度；
在所述衬底上形成绝缘层，去除所述间隔墙形成沟槽；
在所述绝缘层上形成电极层，所述沟槽将所述电极层隔开。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底上的图案化的掩膜层可以通过以下方式得到：
在所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层的形状根据目标电极的形状确定；
在所述牺牲层的侧壁形成掩膜层；
去除所述牺牲层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述牺牲层的侧壁形成掩膜层，包括：
沉积掩膜材料层；
去除所述衬底上表面以及所述牺牲层上表面的掩膜材料层，保留所述牺牲层侧壁上的掩膜材料层作为掩膜层。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬底和所述牺牲层之间还形成有阻挡层，所述以所述掩膜层为掩蔽，对所述衬底进行刻蚀，包括：
以所述掩膜层和所述阻挡层为掩蔽，对所述衬底进行刻蚀。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述阻挡层通过以下方式形成：沉积阻挡材料层，以所述掩膜层为掩蔽，对所述阻挡材料层进行刻蚀，得到阻挡层。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述去除所述间隔墙形成沟槽，包括：
去除所述间隔墙以及所述间隔墙下的部分衬底，形成沟槽，所述沟槽在底部的宽度大于顶部的宽度。
7.根据权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述沟槽中形成填充层。
8.一种微电极，其特征在于，所述微电极包括：
衬底；
所述衬底上的绝缘层，以及分隔所述绝缘层的沟槽；所述沟槽在底部的宽度大于顶部的宽度；
在所述绝缘层上的电极层，所述沟槽将所述电极层隔开。
9.根据权利要求8所述的微电极，其特征在于，所述沟槽贯穿所述绝缘层和部分所述衬底。
10.根据权利要求8或9所述的微电极，其特征在于，所述沟槽中形成有填充层。
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