[发明专利]半导体保护装置

权利要求书

1.一种半导体保护装置，其应用于直流电路，当该直流电路的负载发生过载或短路时，其使该直流电路得到保护，其特征在于，该半导体保护装置包括：

一第一半导体，具有一汲极、一源极及一闸极；

一第二半导体，具有一集极、一射极及一基极，该第二半导体的集极连接该第一半导体的闸极，该第二半导体的射极连接该第一半导体的源极；

一第三半导体，具有一集极、一射极及一基极，该第三半导体的射极连接该第二半导体的射极，该第三半导体的集极连接该第二半导体的基极；

一第一电阻器，具有两个连接端，该第一电阻器的一端连接该第一半导体的闸极及该第二半导体的集极；

一第二电阻器，具有两个连接端，该第二电阻器的一端连接该第一半导体的汲极成为第二端，该第二电阻器的另一端连接该第二半导体的基极及该第三半导体的集极；

一第三电阻器，具有两个连接端，该第三电阻器的一端连接该第三半导体的基极；

一延时产生器，具有启动第一半导体由开路转为导通的功能，并且具有正电压端、正电压输出端及接地端，该正电压端连接该第一电阻器的另一端成为第一端；该正电压输出端连接该第三电阻器的另一端；该接地端连接该第三半导体的射极、该第二半导体的射极及该第一半导体的源极成为第三端；

第一直流电源、第二直流电源及负载，该第一直流电源的正电端连接该负载，该负载另一端连接该第二端，该第一直流电源的负电端连接该第三端，该第二直流电源的正电端连接该第一端，该第二直流电源的负电端连接该第三端；及

第一开关与第二开关，该第一开关位于该第一直流电源与该负载之间，该第二开关位于该第二直流电源与该第一端之间。

2.如权利要求1所述的半导体保护装置，其特征在于，该第一半导体为N通道金属氧化半导体场效晶体管或N型绝缘闸极双极晶体管。

3.如权利要求1所述的半导体保护装置，其特征在于，该第二半导体为N型晶体管或N通道金属氧化半导体场效晶体管。

4.如权利要求1所述的半导体保护装置，其特征在于，该第三半导体为N型晶体管或N通道金属氧化半导体场效晶体管。

5.一种半导体保护装置，其应用于直流电路，当该直流电路的负载发生过载或短路时，其使该直流电路得到保护，其特征在于，该半导体保护装置包括：

一第一半导体，具有一集极、一射极及一闸极；

一第二半导体，具有一汲极、一源极及一闸极，该第二半导体的汲极连接该第一半导体的闸极，该第二半导体的源极连接该第一半导体的射极；

一第三半导体，具有一汲极、一源极及一闸极，该第三半导体的源极连接该第二半导体的源极，该第三半导体的汲极连接该第二半导体的闸极；

一第一电阻器，具有两个连接端，该第一电阻器的一端连接该第一半导体的闸极及该第二半导体的汲极；

一第二电阻器，具有两个连接端，该第二电阻器的一端连接该第一半导体的集极成为第二端；该第二电阻器的另一端连接该第二半导体的闸极及该第三半导体的汲极；

一第三电阻器，具有两个连接端，该第三电阻器的一端连接该第三半导体的闸极；

一延时产生器，具有启动第一半导体由开路转为导通的功能，并且具有正电压端、正电压输出端及接地端，该正电压端连接该第一电阻器的另一端成为第一端；该正电压输出端连接该第三电阻器的另一端；该接地端连接该第三半导体的源极、该第二半导体的源极及该第一半导体的射极成为第三端；

第一直流电源、第二直流电源及负载，该第一直流电源的正电端连接该负载，该负载另一端连接该第二端，该第一直流电源的负电端连接该第三端，该第二直流电源的正电端连接该第一端，该第二直流电源的负电端连接该第三端；及

第一开关与第二开关，该第一开关位于该第一直流电源与该负载之间，该第二开关位于该第二直流电源与该第一端之间。

6.如权利要求5所述的半导体保护装置，其特征在于，该第一半导体为N型绝缘闸极双极晶体管或N通道金属氧化半导体场效晶体管。

7.如权利要求5所述的半导体保护装置，其特征在于，该第二半导体为N通道金属氧化半导体场效晶体管或N型晶体管。

8.如权利要求5所述的半导体保护装置，其特征在于，该第三半导体为N通道金属氧化半导体场效晶体管或N型晶体管。