[发明专利]一种自校准电路及校准方法有效
申请号: | 201910385850.0 | 申请日: | 2019-05-09 |
公开(公告)号: | CN110277966B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 张俊;张治安;郭朝亮;姚金成 | 申请(专利权)人: | 上海类比半导体技术有限公司 |
主分类号: | H03F1/56 | 分类号: | H03F1/56;H03F1/00 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人: | 成春荣;竺云 |
地址: | 200120 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 校准 电路 方法 | ||
1.一种自校准电路,其特征在于,包括第一至第五晶体管、放大器、共模反馈电路、电阻修调电路、译码器及SAR逻辑电路:
所述第一晶体管的第一极连接偏置电压,第二极连接第一电源端,第三极连接所述第二和第三晶体管的第二极;
所述第二晶体管的第一极连接第一输入信号,第三极连接所述放大器的正输入端;
所述第三晶体管的第一极连接第二输入信号,第三极连接所述放大器的负输入端;
所述共模反馈电路连接所述第二和第三晶体管的第三极、第四和第五晶体管的第一极;
所述电阻修调电路连接于所述第四和第五晶体管的第二极及第二电源端之间,所述译码器提供控制信号至所述电阻修调电路,调整所述电阻修调电路串入的电阻值;
所述放大器的输出端连接所述SAR逻辑电路,所述SAR逻辑电路的输出端连接所述译码器;
其中,所述电阻修调电路包括:第一和第二基础电阻、第一和第二修调幅度控制电阻、第一和第二高位修调电阻串及第一和第二低位修调电阻串;
所述第一基础电阻连接于所述第四晶体管的第二极和所述第一修调幅度控制电阻之间;
所述第二基础电阻连接于所述第五晶体管的第二极和所述第二修调幅度控制电阻之间;
所述第一和第二修调幅度控制电阻之间依次串联所述第一高位修调电阻串、第一低位修调电阻串、第二低位修调电阻串和第二高位修调电阻串,所述第一和第二修调幅度控制电阻各自独立的并联一控制开关。
2.如权利要求1所述的自校准电路,其特征在于,所述第一和第二高位修调电阻串及第一和第二低位修调电阻串各自包括若干个串联的电阻,每两个相连电阻之间的节点通过一控制开关连接所述第二电源端;所述第一和第二低位修调电阻串之间的节点通过一控制开关连接所述第二电源端。
3.如权利要求1所述的自校准电路,其特征在于,还包括:共模电阻,所述共模电阻连接于所述第一基础电阻和第二基础电阻之间。
4.如权利要求1所述的自校准电路,其特征在于,还包括:第一和第二共模电阻,所述第一共模电阻连接于所述第一基础电阻与第二电源端之间,所述第二共模电阻连接于所述第二基础电阻与第二电源端之间。
5.如权利要求1所述的自校准电路,其特征在于,所述第一至第三晶体管为P型晶体管或PNP晶体管,所述第四和第五晶体管为N型晶体管或NPN晶体管,所述第一电源端为电压源,所述第二电源端为地端。
6.如权利要求1所述的自校准电路,其特征在于,所述第一至第三晶体管为N型晶体管或NPN晶体管,所述第四和第五晶体管为P型晶体管或PNP晶体管,所述第一电源端为地端,所述第二电源端为电压源。
7.如权利要求1至4中任意一项所述的自校准电路,其特征在于,所述第一至第五晶体管为场效应晶体管,所述第一极为栅极,所述第二极为源极,所述第三极为漏极。
8.如权利要求1至4中任意一项所述的自校准电路,其特征在于,所述第一至第五晶体管为双极型晶体管,所述第一极为基极,所述第二极为发射极,所述第三极为集电极。
9.一种自校准方法,其特征在于,采用如权利要求1-8中任意一项的自校准电路,包括:
根据所述SAR逻辑电路控制所述译码器输出的控制信号,调整所述电阻修调电路的电阻值变化,校准所述第一和第二输入信号的电压值。
10.如权利要求9所述的自校准方法,其特征在于,所述第四和第五晶体管工作在饱和区,所述第一和第二输入信号的电压值变化与所述电阻值变化成近似线性关系。
11.如权利要求9所述的自校准方法,其特征在于,所述第四和第五晶体管工作在亚阈值区,所述第一和第二输入信号的电压值变化与所述电阻值变化成线性关系。
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