[发明专利]半导体制程的方法在审
| 申请号： | 201910385287.7 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110544720A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 刘书豪;陈国儒;吴濬宏;陈佳政;陈亮吟;张惠政;王英郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/324;H01L21/265 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩旭;黄艳<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源极/漏极区 非晶区 制程 布植 掺质 接面 离子 半导体制程 接点电阻 漏极区 主动区 基板 | ||
本公开涉及一种半导体制程的方法。此处所述的实施例一般关于形成超浅接面于p型源极/漏极区中，且超浅接面具有高掺质浓度与低接点电阻。在一实施例中，方法包括形成源极/漏极区于基板上的主动区中，且源极/漏极区包含锗；进行采用镓的离子布植制程，以形成非晶区于源极/漏极区中；进行采用掺质的离子布植制程至非晶区中；以及对非晶区进行热制程。
技术领域
本发明实施例关于形成超浅接面于p型源极/漏极区中，且超浅接面具有高掺质浓度与低接点电阻。
背景技术
当半导体产业朝向纳米技术的制程节点迈进，以达更高的装置密度、更高的效能、与更低的成本时，在三维设计如鳍状场效晶体管面临制程与设计的问题。鳍状场效晶体管通常包含高高宽比的半导体鳍状物，且通道与源极/漏极区形成其中。栅极沿着鳍状结构的侧壁延伸至鳍状结构上(比如包覆鳍状结构)，可增加通道的表面积以制作更快、更可信、与更易控制的半导体晶体管装置。
鳍状场效晶体管装置通常包含半导体区，其用于形成源极区与漏极区。接着形成金属硅化物于半导体区的表面上，以减少接点电阻。然而随着尺寸缩小，上述装置出现新的挑战。
发明内容
本发明一实施例提供的半导体制程的方法，包括：形成源极/漏极区于基板上的主动区中，且源极/漏极区包含锗；进行采用镓的离子布植制程，以形成非晶区于源极/漏极区中；进行采用掺质的离子布植制程至非晶区中；以及对非晶区进行热制程。
附图说明
图1是一些实施例中，对应制作阶段的中间结构的立体图。
图2至图9是一些实施例中，对应多种制作阶段的个别中间结构的剖视图。
图10为一些实施例中，多种掺质轮廓的附图。
图11是一些实施例中，装置结构的部分剖视图。
附图标记说明：
A-A 剖面
210 金属层
213 第一区
214 硅化物层
215 上表面
217 第二区
219 非晶区
220 界面介电层
221 掺杂区
222 栅极介电层
223 结晶区
224 顺应层
226 栅极充填导电材料
228a、228b 置换栅极结构
230 第二层间介电层
231 预非晶布植制程
232 源极/漏极接点开口
233 热处理
234 导电结构
251 虚置栅极结构
253 沟槽
270 基板
274 鳍状物
278 隔离区
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