[发明专利]一种电弧离子镀膜的方法

说明书

本发明公开了一种电弧离子镀膜的方法，包括如下步骤：(1)等离子清洗，所述等离子清洗的清洗方式为以下两种中任选一种：(a)真空室通入氩气调整真空度至2～10Pa，工件转架加载负偏压300～1000V，利用高压辉光等离子对产品表面进行清洗；(b)真空室通入氩气或/和氧气调整真空度至0.2～2Pa，工件转架加载负偏压200～800V，离子源输出电压500～1500V，利用离子源产生等离子对产品表面进行清洗；(2)非反应层沉积：使用掺杂稀土元素的合金靶材作为阴极离化源，真空室通入氩气调整真空度至0.2～0.6Pa，电弧输出电流为60～250A，工件偏压100～450V；(3)反应层沉积：使用掺杂稀土元素的合金靶材作为阴极离化源，真空室通入氩气及反应气体调整真空度至0.2～0.6Pa，电弧输出电流60～250A，工件偏压30～250V。

技术领域

本发明涉及一种电弧离子镀膜的方法。

背景技术

电弧离子镀膜由于其较高的离化率及沉积速率常用于高端装饰性、刀具和各种工模具镀膜领域。但由于电弧沉积过程中局部温度过高，产生大颗粒溅射，导致涂层表面粗糙、孔隙率增加，使得膜层性能下降、致命性降低。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种电弧离子镀膜的方法。

本发明通过以下技术方案来实现：一种电弧离子镀膜的方法，包括如下步骤：

(1)等离子清洗，所述等离子清洗的清洗方式为以下两种中任选一种：(a)真空室通入氩气调整真空度至2～10Pa，工件转架加载负偏压300～1000V，利用高压辉光等离子对产品表面进行清洗；(b)真空室通入氩气或/和氧气调整真空度至0.2～2Pa，工件转架加载负偏压200～800V，离子源输出电压500～1500V，利用离子源产生等离子对产品表面进行清洗；

(2)非反应层沉积：使用掺杂稀土元素的合金靶材作为阴极离化源，真空室通入氩气调整真空度至0.2～0.6Pa，电弧输出电流为60～250A，工件偏压100～450V；

(3)反应层沉积：使用掺杂稀土元素的合金靶材作为阴极离化源，真空室通入氩气及反应气体调整真空度至0.2～0.6Pa，电弧输出电流60～250A，工件偏压30～250V。

优选地，所述稀土元素为钇、铈或钕。

优选地，所述掺杂稀土元素含量的原子百分比为2％～8％。

优选地，所述反应气体为氮气、甲烷或乙炔。

本发明的具有如下有益效果：本发明通过使用掺杂稀土元素的合金靶材替代常规使用的纯金属靶材进行电弧离子镀膜，减少和细化电弧离子镀膜层的大颗粒，提高膜层的致密性，膜层表面光洁度提高、孔隙率下降，从而获得品质更高的产品。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。

图1是本发明的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

参考说明书附图1，一种电弧离子镀膜的方法，包括如下步骤：