[发明专利]可挠触控结构有效

专利信息
申请号: 201910384244.7 申请日: 2019-05-09
公开(公告)号: CN110333793B 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 洪裕民;王进立 申请(专利权)人: 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 代理人: 杨冬梅;张行知
地址: 611730 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 可挠触控 结构
【说明书】:

可挠触控结构包含可挠透明基板、图案化的纳米银丝层、导电保护层以及图案化的金属层。可挠透明基板具有触控动作区与外围线路区。图案化的纳米银丝层位于触控动作区与外围线路区内。图案化的纳米银丝层在可挠透明基板上方。其中,图案化的纳米银丝层还包含复数个纳米银丝以及涂布材。纳米银丝均匀分布于涂布材中。纳米银丝凸出至图案化的纳米银丝层的表面。导电保护层位于图案化的纳米银丝层之纳米银丝凸出的表面上。图案化的金属层位于外围线路区内。金属层位于导电保护层上。导电保护层的存在避免纳米银丝层与金属层直接接触,并且在蚀刻金属层时避免损害到纳米银丝层。

技术领域

本揭露有关于一种可挠触控结构。

背景技术

具触控功能的电子产品日益普及。其中一种触控装置是可以弯折的,使消费者便于携带与收纳。这种可以弯折的触控装置称之为可挠触控装置。

因应可挠触控装置发展日益蓬勃,相关的纳米银丝材料之技术开发是更为重要。目前世面上开发中的纳米银丝产品的结构主要有二种,分别是MOS(Metal on sliver)结构与SOM(Sliver on metal)结构。现今市场主要是以开发SOM结构的技术为主。原因是,MOS结构在做图案化湿式蚀刻时,尚有许多衍生的问题需要克服。

举例来说,MOS结构的金属使用铜,而铜与纳米银丝由于金属活性的差异,铜与纳米银丝交界处容易产生铜与银的共生结晶而导致短路。另一个问题是,当要蚀刻图案化铜的时候,铜的蚀刻剂往往也会蚀刻到纳米银丝,使得纳米银丝产生损害,进而影响到触控功能。

发明内容

本揭露之一技术态样是一种可挠触控结构。

根据本揭露之一实施方式,一种可挠触控结构包含可挠透明基板、图案化的纳米银丝层、导电保护层以及图案化的金属层。可挠透明基板具有触控动作区与外围线路区。图案化的纳米银丝层位于触控动作区与外围线路区内,图案化的纳米银丝层位于可挠透明基板上方。其中,图案化的纳米银丝层还包含复数个纳米银丝以及涂布材。纳米银丝均匀分布于涂布材中。纳米银丝凸出至图案化的纳米银丝层的表面。导电保护层位于图案化的纳米银丝层之纳米银丝凸出的表面上。图案化的金属层位于外围线路区内。金属层位于导电保护层上。

在本揭露一实施方式中,上述可挠触控结构之可挠透明基板的材料包含聚对本二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、透明聚亚酰胺或是环烯烃聚合物。

在本揭露一实施方式中,上述可挠透明结构之图案化的纳米银丝层之涂布材的材料包含环氧树酯或是压克力胶体。

在本揭露一实施方式中,上述可挠透明结构之导电保护层的材料包含可导电软性材料,可导电软性材料包含氧化物导电材料、导电高分子材料、纳米碳管、纳米石墨缎带或是石墨烯。

在本揭露一实施方式中,上述可挠透明结构之导电保护层可以使用的氧化物导电材料包含铟锡氧化物、氧化铟镓锌或是氧化铟锌。

在本揭露一实施方式中,上述可挠透明结构之导电保护层可以使用的材料包含导电高分子材料是聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸)。

在本揭露一实施方式中,上述可挠透明结构之导电保护层的光学穿透率大于百分之八十五。

在本揭露一实施方式中,上述可挠透明结构之导电保护层之电阻值的范围介于10欧姆到150欧姆。

在本揭露一实施方式中,上述可挠透明结构之导电保护层具有抵抗图案化如上所述之图案化的金属层之蚀刻剂的能力。

在本揭露一实施方式中,上述可挠透明结构之图案化的金属层的材料包含铜或铜合金,其中铜合金是镍钛铜合金、镍铜合金或是锌铜合金。

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