[发明专利]一种可调电流增益的多晶硅发射极结构的制作方法在审
| 申请号： | 201910384205.7 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110335896A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张培健;刘建;朱坤峰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/49;H01L29/73 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射极窗口 多晶硅发射极结构 超薄氧化层 可调电流 多晶硅 衬底片 发射极 制作 淀积 光刻 刻蚀 去胶 常规工艺 电流增益 工艺过程 生长 流片 | ||
1.一种可调电流增益的多晶硅发射极结构的制作方法，其特征在于：包括：
S1：在衬底片上形成第一发射极窗口；
S2：在第一发射极窗口内生长超薄氧化层；
S3：在第一发射极窗口内淀积多晶硅；
S4：对多晶硅进行光刻、刻蚀和去胶，以形成第一发射极；
S5：在衬底片上形成第二发射极窗口；
S6：在第二发射极窗口内生长超薄氧化层，且第二发射极的超薄氧化层厚度与第一发射极的超薄氧化层厚度不同；
S7：在第二发射极窗口内淀积多晶硅；
S8：对多晶硅进行光刻、刻蚀和去胶，以形成第二发射极；
S9：继续常规工艺完成后续所有工艺过程，形成最终多晶硅发射极器件结构。
2.如权利要求1所述的一种可调电流增益的多晶硅发射极结构的制作方法，其特征在于：生长超薄氧化层时在多晶淀积炉内原位生长。
3.如权利要求1所述的一种可调电流增益的多晶硅发射极结构的制作方法，其特征在于：所述第一发射极的超薄氧化层的厚度为4-8埃。
4.如权利要求1所述的一种可调电流增益的多晶硅发射极结构的制作方法，其特征在于：所述第二发射极的超薄氧化层厚度为10-20埃。
5.如权利要求1或2所述的一种可调电流增益的多晶硅发射极结构的制作方法，其特征在于：生长超薄氧化层前发射极窗口进行清洗。
6.如权利要求5所述的一种可调电流增益的多晶硅发射极结构的制作方法，其特征在于：清洗过程包括在多晶硅淀积炉内的氢氟酸蒸气吹淋，祛除发射极窗口的自然氧化层。
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