[发明专利]一种H占据BiVO4

权利要求书

1.一种H占据BiVO₄-OVs的光催化材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将BiVO₄在250℃～450℃煅烧5h～24h，得到含氧空位的BiVO₄；

将含氧空位的BiVO₄在氢还原气氛下300~400℃进行还原反应，得到一种H占据BiVO₄-OVs的光催化材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氢还原气氛为Ar：H₂体积比为95 %：5 %～70 %：30 %的Ar/H₂混合气氛。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述BiVO₄由包括以下步骤的方法得到：将分散有Bi(NO₃)₃·5 H₂O、及NaVO₃·2 H₂O的分散体在120℃～200℃进行溶剂热反应，得到BiVO₄。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，Bi(NO₃)₃·5 H₂O与NaVO₃·2 H₂O摩尔比为1:1～5:1。

5.根据权利要求1~4任一项所述的方法，其特征在于，具体步骤包括：

1）将Bi(NO₃)₃·5 H₂O溶解在甘油中得到前驱体溶液A；

2）将NaVO₃·2 H₂O溶解在去离子水中得到前驱体溶液B；

3）将溶液A加入溶液B并剧烈搅拌，得到溶液C；Bi(NO₃)₃·5 H₂O与NaVO₃·2 H₂O摩尔比为1:1～5:1；溶液A与溶液B的体积比为1:1～5:1；

4）溶液C转移到聚四氟乙烯内衬的高压釜中，120℃～200℃保持6～12h后得到合成产物D；

5）将溶剂热合成产物D经过10000 rpm离心分离，去离子水和乙醇洗涤，干燥后得到产物E；

6）产物E在马弗炉内250℃～450℃煅烧5h～24h得到产物F；

7）产物F在Ar/H₂气氛中在300 ℃～400 ℃温度下退火5 h～12 h得到H占据BiVO₄-OVs光催化材料；所述Ar/H₂体积比为95 %：5 %～70 %：30 %。

6.权利要求1-5任一项所述方法制备的一种H占据BiVO₄-OVs的光催化材料，其特征在于，氢原子部分或完全占据含氧空位的BiVO₄结构中的氧空位。

7.根据权利要求6所述的光催化材料，其特征在于，具有纳米级的桑葚状形貌。

8.权利要求6或7所述的一种H占据BiVO₄-OVs的光催化材料用于光催化降解污染物的应用。