[发明专利]外延片及其制造方法以及电化学传感器

权利要求书

1.一种用于电化学传感器的参比电极的外延片，其特征在于包括：

衬底；

InGaN层片，形成于所述衬底的一侧表面，其In含量在20％和60％之间，以确保从带负电的表面态到带正电的表面态的转变发生在组成范围内；

InN层片，形成于所述InGaN层片的背朝所述衬底的一侧表面上，以用作所述InGaN层片的表面电荷的稳定层，

所述InN层片的InN沉积量为0.5至1.5个单层，以确保表面覆盖率。

2.根据权利要求1所述的用于电化学传感器的参比电极的外延片，其特征在于

所述InGaN层片为具有单一In含量的均匀层片或不同In含量的异质结构层片。

3.根据权利要求2所述的用于电化学传感器的参比电极的外延片，其特征在于

所述InGaN层片由In_0.40Ga_0.60N组成。

4.根据权利要求1所述的用于电化学传感器的参比电极的外延片，其特征在于

所述InGaN层片的厚度在100nm至500nm之间。

5.根据权利要求1所述的用于电化学传感器的参比电极的外延片，其特征在于

所述衬底的材料为蓝宝石、Si、SiC和GaN其中之一。

6.一种电化学传感器，其特征在于包括：

工作电极；

参比电极，所述参比电极由根据权利要求1至5中任一项所述的外延片制成；以及

电压检测装置，分别电连接所述工作电极和所述参比电极，用于检测所述工作电极和所述参比电极之间的电压值；以及

计算装置，与所述电压检测装置电连接，以接收所述电压检测装置产生的电压值检测信号，配置成根据所述电压值计算并确定待测物质的浓度。

7.制备根据权利要求1-5中任一项所述的外延片的方法，其特征在于包括：

提供衬底；

在所述衬底的一侧表面生长InGaN层片；以及

在InGaN层片的背离所述衬底的表面上生长InN层片。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于

生长所述InGaN层片和所述InN层片的方式选自以下方式的其中一种：分子束外延生长、金属有机气相外延和化学气相沉积。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于

通过分子束外延生长所述InGaN层片和InN层片。