[发明专利]近源磁场变异侦测系统及其侦测方法在审

专利信息
申请号: 201910380844.6 申请日: 2019-05-08
公开(公告)号: CN111915902A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 陈建志 申请(专利权)人: 中央大学
主分类号: G08G1/042 分类号: G08G1/042;G08G1/14;G01V3/08
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨;侯奇慧
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 磁场 变异 侦测 系统 及其 方法
【说明书】:

发明公开了一种近源磁场变异侦测系统及其侦测方法,该近源磁场变异侦测方法包括分别以一第一磁场传感器以及一第二磁场传感器测量磁场,第一磁场传感器以及第二磁场传感器设置于一场域或场域的一周围区域;以及计算一磁场差值,其中磁场差值为第一磁场传感器所测量到的一第一磁场向量以及第二磁场传感器所测量到的一第二磁场向量的差的大小或第一磁场传感器所测量到沿着一特征方向的一第一传感器磁场分量以及第二磁场传感器所测量到沿着特征方向的一第二传感器磁场分量的差的大小;其中当磁场差值在一特征时间内持续大于一特征门坎值时或当磁场差值在一特征平均时间内的平均值大于一特征门坎平均值时,即发生一近源磁场变异。

技术领域

本发明涉及一种近源磁场变异侦测系统及其侦测方法,尤指一种使用具有两个磁场传感器的近源磁场变异侦测系统及其侦测方法。

背景技术

现有技术以单一颗磁场传感器来侦测停车格是否有车停驻。由于车辆经过停车格,或是车辆进出停车格都会使得磁场发生一些变化。然而现有技术最大的困难是无法判断出以下各种状况:一、磁场的变化是否因有车子经过停车格附近呢?二、磁场的变化是否因有车停在停车格时又有其他车经过停车格旁边呢?三、磁场的变化是否因有车停在停车格,但是当地的地球磁场又随时间的变化呢?由于由单一颗磁场传感器所测量到的结果,并无法分辨出磁场的变化来源是停车格内的车子所造成的、还是停车格外的车子所造成的、抑或是停车格内的车子以及停车格外的车子同时造成的、或是再加上地球磁场的变化的因素所造成的。因此,现有技术仅以单一颗磁场传感器来侦测尚无法精确判断出停车格是否有车停驻,故常常容易误判。由于现有技术的单一颗磁场传感器是埋设在停车格的地面之下,因此现有技术所面临的最主要的问题是无法精确判断出单一颗磁场传感器所测量到的磁场变化,其来源是否在磁场传感器的附近(也就是在停车格内,而非停车格外或地球磁场变化)。

有鉴于此,本案发明人开发出简便组装的设计,能够避免上述的缺点,安装方便,又具有成本低廉的优点,以兼顾使用弹性与经济性等考虑,因此遂有本发明的产生。

发明内容

本发明所欲解决的技术问题在于,如何排除远处对象以及地球磁场所造成的磁场变化的干扰,以精确判断出是否有近处对象造成磁场变化。

为解决前述问题,以达到所预期的功效,本发明提供一种近源磁场变异侦测方法,其中一磁场感应组设置于一场域或场域的一周围区域,磁场感应组包括一第一磁场传感器以及一第二磁场传感器,近源磁场变异侦测方法包括以下步骤:分别以第一磁场传感器以及第二磁场传感器测量磁场;以及计算一磁场差值,其中磁场差值为第一磁场传感器所测量到的一第一磁场向量以及第二磁场传感器所测量到的一第二磁场向量的差的大小或第一磁场传感器所测量到沿着一特征方向的一第一传感器磁场分量以及第二磁场传感器所测量到沿着特征方向的一第二传感器磁场分量的差的大小;其中当磁场差值在一特征时间内持续大于一特征门坎值时或当磁场差值在一特征平均时间内的平均值大于一特征门坎平均值时,即发生一近源磁场变异。

此外,本发明更提供一种近源磁场变异侦测系统,包括:一磁场感应组以及一数据处理部。其中磁场感应组设置于一场域或场域的一周围区域,磁场感应组包括:一第一磁场传感器以及一第二磁场传感器。其中数据处理部与磁场感应组以有线或无线的方式相连接,其中数据处理部计算一磁场差值,其中磁场差值为第一磁场传感器所测量到的一第一磁场向量以及第二磁场传感器所测量到的一第二磁场向量的差的大小或第一磁场传感器所测量到沿着一特征方向的一第一传感器磁场分量以及第二磁场传感器所测量到沿着特征方向的一第二传感器磁场分量的差的大小;其中当磁场差值在一特征时间内持续大于一特征门坎值时或当磁场差值在一特征平均时间内的平均值大于一特征门坎平均值时,即发生一近源磁场变异。

于一实施例中,其中近源磁场变异因一对象进入场域而产生。

于一实施例中,其中场域为一移动装置停驻处,对象为一移动装置,其中藉由侦测近源磁场变异以侦测移动装置是否停驻于移动装置停驻处。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中央大学,未经中央大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910380844.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top