[发明专利]金属有机化合物化学气相沉积反应装置

说明书

本发明揭示了一种MOCVD反应装置，包括载盘及位于载盘下方的加热装置，加热装置包括加热丝组件及支撑加热丝组件的支架组件，加热丝组件包括对应载盘的边缘区域设置的外圈加热丝，支架组件包括支撑外圈加热丝的若干外圈支架，外圈支架包括平行设置的两条外圈支撑脚及连接两条外圈支撑脚的外圈支撑部，外圈支撑部远离两条外圈支撑脚的一侧包括呈平面的支撑面，支撑面包括相连的第一支撑面及第二支撑面，第一支撑面对应两条外圈支撑脚的中间区域设置，第二支撑面朝远离外圈加热丝的中心方向凸伸出第一支撑面，且外圈加热丝位于第一支撑面及第二支撑面上。本发明在原有机台整体不动的情况下，简单改变几个部件的设计便可提高产能，实用性高。

技术领域

本发明涉及气相沉积领域，尤其涉及一种MOCVD反应装置。

背景技术

MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉积)是在气相外延生长(Vapour Phase Epitaxy，VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是制备化合物半导体外延材料的核心设备，以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，主要用于生长各种Ⅲ-V 族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料，涵盖了所有常见半导体，有着非常广阔的市场前景。

现有技术中，例如型号为K465i机台，其包含的载盘尺寸较小，载盘承载的晶圆数量为14*4(即14片4寸晶圆)，在当今的市场行情下，虽技术及机台的稳定性、一致性都很成熟，但由于产能低，越来越不能满足市场的需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种MOCVD反应装置，其可以大大提高产能。

为实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供一种MOCVD反应装置，包括：载盘及位于所述载盘下方的加热装置，所述加热装置包括加热丝组件及支撑所述加热丝组件的支架组件，所述加热丝组件包括对应所述载盘的边缘区域设置的外圈加热丝，所述支架组件包括支撑所述外圈加热丝的若干外圈支架，所述外圈支架包括平行设置的两条外圈支撑脚及连接两条外圈支撑脚的外圈支撑部，所述外圈支撑部远离两条外圈支撑脚的一侧包括呈平面的支撑面，所述支撑面包括相连的第一支撑面及第二支撑面，所述第一支撑面对应两条外圈支撑脚的中间区域设置，所述第二支撑面朝远离所述外圈加热丝的中心方向凸伸出所述第一支撑面，且所述外圈加热丝位于所述第一支撑面及所述第二支撑面上。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述载盘呈圆形，所述载盘的直径范围为480～500mm，所述外圈加热丝的外径范围为480～500mm。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述外圈支架一体成型，且两条外圈支撑脚及所述外圈支撑部位于同一平面内。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述支撑面上任意一点至水平面的距离均相等。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述加热装置还包括基板、位于所述基板及所述加热丝组件之间的隔热组件及陶瓷基座，所述基板包括安装孔，所述隔热组件包括贯穿孔，所述陶瓷基座设置于所述贯穿孔及所述安装孔内，且所述陶瓷基座具有容纳腔，所述外圈支架的两条外圈支撑脚限位于所述容纳腔内。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述隔热组件包括若干叠置的隔热片，所述隔热组件的外径范围为480～500mm，所述基板的外径小于所述隔热组件的外径。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述加热装置还包括连接所述基板的支撑部，所述支撑部延伸至所述外圈加热丝的外侧缘处。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述MOCVD反应装置还包括环绕所述加热装置设置的罩体，所述罩体的内径范围为480～500mm。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述MOCVD反应装置还包括集灰环，所述罩体连接所述集灰环，所述集灰环上设置有若干排气孔。