[发明专利]一种半固化基材的量子点LED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半固化基材的量子点LED器件，其特征在于，包括反光杯（2）、发光芯片（1）、光转化层（3）、半球形透镜（4）；所述反光杯（2）带有凹槽，发光芯片（1）设置在凹槽内；所述半球形透镜（4）设置在反光杯（2）的上表面，半球形透镜（4）带有凹面，所述凹面与反光杯（2）的凹槽相对，半球形透镜（4）与反光杯（2）形成一个封闭结构；凹槽内填充有光转化层（3），所述光转化层（3）由量子点、液态硅油、PDMS固化而成。

2.制备权利要求1所述的半固化基材的量子点LED器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）称量量子点，量取氯仿，所述量子点和氯仿的质量体积比是1 ~10 mg/ml，在25~50℃温度下在氯仿中溶解量子点，制成量子点氯仿溶液；

2）向步骤1）所得的量子点氯仿溶液依次加入液态硅油、PDMS 、固化剂，所述PDMS与固化剂的质量比为5:1~10:1，液态硅油的质量占液态硅油和PDMS两者总质量的比为x，其中0＜x≤0.85，所述量子点的质量与液态硅油、PDMS和固化剂三者混合物的质量比为y，其中0＜y≤0.03，搅拌至氯仿完全挥发，并使量子点均匀分散于胶体；

3）将步骤2）中的胶体脱泡，使得胶体中残余气泡上浮破裂；

4）向置有发光芯片（1）的反光杯（2）中滴入量子点胶，然后烘烤固化，填充完成光转化层（3）；

5）最后盖上半球形透镜（4），注入灌封胶，排除残余空气，烘烤固化，量子点LED器件制备完成。

3.根据权利要求2所述的制备半固化基材的量子点LED器件的方法，其特征在于，所述量子点包括碳量子点、CdSe量子点、钙钛矿量子点、CdSe/ZnS量子点中的至少一种，所述液态硅油为甲基封端的聚二甲基硅氧烷，粘度范围为500~5000m²/s。

4.根据权利要求2所述的制备半固化基材的量子点LED器件的方法，其特征在于，所述PDMS为乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷。

5.根据权利要求2所述的制备半固化基材的量子点LED器件的方法，其特征在于，步骤2）中，搅拌温度为25~50℃，搅拌时间为40~60 min。

6.根据权利要求2所述的制备半固化基材的量子点LED器件的方法，其特征在于，步骤3）中，在25~50℃温度下，使用真空搅拌脱泡机脱泡，脱泡时间为5~10min。

7.根据权利要求2所述的制备半固化基材的量子点LED器件的方法，其特征在于，发光芯片（1）为蓝光发光芯片，发射峰波长范围为 430~470 nm，所述蓝光发光芯片的尺寸范围为（22×22）~（40×40） mil，厚度为150~250 μm。

8.根据权利要求2所述的制备半固化基材的量子点LED器件的方法，其特征在于，反光杯（2）为仿流明器件，所述凹槽的结构为抛物面型、圆锥面型、梯形面型、球面型中的至少一种，凹槽的内表面涂层包括银镀层、铬镀层、镍镀层、镍银镀层、铝镀层中的至少一种，内表面涂层厚度为0.3~0.5 μm。

9.根据权利要求2所述的制备半固化基材的量子点LED器件的方法，其特征在于，所述步骤4）中，在25~50℃温度下，滴入量子点胶，所述量子点胶的固化温度为120~135℃，固化时间为90~110 min。

10.根据权利要求2所述的制备半固化基材的量子点LED器件的方法，其特征在于，所述步骤5）中，在25~50℃温度下，盖上半球形透镜（4），注入灌封胶，排出残余空气，所用灌封胶为灌封用大功率烘烤胶M-2815，灌封胶的固化温度为 115~130℃，固化时间为15~30min。