[发明专利]显示基板及其制备方法和显示面板在审
申请号: | 201910379276.8 | 申请日: | 2019-05-08 |
公开(公告)号: | CN111490071A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 陈亚文;史文 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 侯武娇;周昭 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 面板 | ||
本发明涉及一种显示基板及其制备方法和显示面板,显示基板包括衬底、像素电极及像素限定层,像素电极设于衬底上,像素限定层包括第一子限定层、防堆积层和第二子限定层,第一子限定层设于衬底上,防堆积层设于第一子限定层上,第二子限定层设于防堆积层上;像素限定层开设有像素坑,像素坑贯穿第一子限定层、防堆积层和第二子限定层以暴露像素电极的至少部分区域;像素坑的侧壁对应防堆积层的位置设有防堆积凹槽。该显示基板可利用液体的渗析作用,避免墨水在沉积干燥过程中出现边缘堆积,从而提高了像素的膜厚均匀性,同时不会影响开口率,提高了发光均匀性以及最终的显示效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示基板及其制备方法和显示面板。
背景技术
在信息社会的当代,作为可视信息传输媒介的显示器的重要性进一步加强。为了在未来占据主导地位,显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。例如有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点,量子点发光二极管(QLED)由于其具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调等优点,成为了目前显示领域发展的两个主要方向。而采用溶液加工制备OLED、QLED等显示器,由于具有低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点,是未来显示技术发展的重要方向,特别是印刷工艺。
在印刷工艺中,通常打印完功能层后需要经过一步真空干燥即VCD工艺,使墨水中的溶剂快速挥发干燥,初步形成较为平整的薄膜形貌,后续再通过一步高温退火来形成致密的薄膜。然而,传统的显示基板结构在墨水沉积及VCD干燥过程中通常会导致墨水在像素坑边缘堆积,导致整个像素膜厚不均,边缘过厚,中间过薄,进而导致点亮后发光均匀性不佳,影响了最终的显示效果。
发明内容
基于此,有必要提供一种可提升发光均匀性的显示基板。
一种显示基板,包括衬底、像素电极及像素限定层,所述像素电极设于所述衬底上,所述像素限定层包括第一子限定层、防堆积层和第二子限定层,所述第一子限定层设于所述衬底上,所述防堆积层设于所述第一子限定层上,所述第二子限定层设于所述防堆积层上;所述像素限定层开设有像素坑,所述像素坑贯穿所述第一子限定层、所述防堆积层和所述第二子限定层以暴露所述像素电极的至少部分区域;所述像素坑的侧壁对应所述防堆积层的位置设有防堆积凹槽。
在其中一个实施例中,所述防堆积凹槽以所述第一子限定层和所述第二子限定层中的至少之一为侧壁,以所述防堆积层为底壁。
在其中一个实施例中,所述防堆积层呈亲液性;或者,所述防堆积层的材质为金属。
在其中一个实施例中,所述防堆积层的材质为铝和银中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述防堆积凹槽的深度为1μm~5μm,所述防堆积层的厚度为100nm~300nm。
在其中一个实施例中,所述第一子限定层呈亲液性,所述第二子限定层呈疏液性。
本发明还提供了一种显示基板的制备方法,包括以下步骤:
在具有像素电极的衬底上形成第一子限定层;
在所述第一子限定层和所述像素电极上形成防堆积膜;
在防堆积膜上形成图案化的第二子限定层,所述第二子限定层暴露所述像素电极上的所述防堆积膜;
去除所述像素电极上的所述防堆积膜以及所述第二子限定层下的部分所述防堆积膜,形成图案化的防堆积层,并在对应所述防堆积层的位置形成防堆积凹槽。
在其中一个实施例中,所述去除所述像素电极上的所述防堆积膜以及所述第二子限定层下的部分所述防堆积膜,形成图案化的防堆积层的步骤采用湿法蚀刻工艺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的