[发明专利]顶针装置在审
申请号: | 201910378435.2 | 申请日: | 2019-05-08 |
公开(公告)号: | CN111916389A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 蔡俊伟 | 申请(专利权)人: | 致茂电子(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 215129 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 顶针 装置 | ||
1.一种顶针装置,用以顶出一薄膜上的一芯片,该芯片于一第一方向具有一第一长度,且于一第二方向具有一第一宽度,其特征在于,包含:
一顶针盖,定义有一接触面,该接触面上具有一顶针孔,该顶针孔于该第一方向具有一第二长度,且于该第二方向具有一第二宽度;
其中该接触面用以接触该薄膜,当该第一长度大于该第二长度时,该第一宽度不大于该第二宽度;当该第一宽度大于该第二宽度时,该第一长度不大于该第二长度。
2.如权利要求1所述的顶针装置,其特征在于,该顶针盖的该接触面上更具有多个抽气孔,该些抽气孔连通一抽气系统,当该接触面接触该薄膜时,该抽气系统经由该些抽气孔提供负压以吸附该薄膜。
3.如权利要求2所述的顶针装置,其特征在于,该顶针盖的该接触面上更具有一第一凹陷,该第一凹陷延伸于该第一方向,且至少部分的该些抽气孔设置于该第一凹陷中。
4.如权利要求2所述的顶针装置,其特征在于,该顶针盖的该接触面上更具有一第二凹陷,该第二凹陷延伸于该第二方向,且至少部分的该些抽气孔设置于该第二凹陷中。
5.如权利要求2所述的顶针装置,其特征在于,该顶针盖的该接触面上更具有一第三凹陷,该第三凹陷围绕该顶针孔,且至少部分的该些抽气孔设置于该第三凹陷中。
6.如权利要求2所述的顶针装置,其特征在于,该顶针盖的该接触面上更具有多个第四凹陷,每一该抽气孔对应该些第四凹陷的其中之一,每一该第四凹陷于该接触面的面积大于该些抽气孔其中之一于该接触面的面积。
7.如权利要求1所述的顶针装置,其特征在于,更包含一第一顶针,该第一顶针选择性地由该顶针孔凸出该接触面,该第一顶针的一顶面于该第一方向具有一第三长度,该顶面于该第二方向具有一第三宽度,且该第三长度大于该第三宽度。
8.如权利要求1所述的顶针装置,其特征在于,更包含一第二顶针和一第三顶针,该第二顶针和该第三顶针选择性地由该顶针孔凸出该接触面,该第二顶针和该第三顶针间隔一第一距离,该第一距离与该第二长度的比值在0.3到0.7之间。
9.如权利要求1所述的顶针装置,其特征在于,该顶针孔为一矩形,且该第二长度为该矩形的一长边的长度,该第二宽度为该矩形的一短边的长度。
10.如权利要求1所述的顶针装置,其特征在于,该顶针孔为一椭圆形,且该第二长度为该椭圆形的一长轴的长度,该第二宽度为该椭圆形的一短轴的长度。
11.如权利要求1所述的顶针装置,其特征在于,该第二长度大于该第二宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造