[发明专利]一种具有良好传感裕度的STT-MRAM传感电路

权利要求书

1.一种STT-MRAM自旋转矩磁随机存取存储器传感电路，其特征在于，所述STT-MRAM自旋转矩磁随机存取存储器传感电路包括：电压传感器，放大器和动态锁存电压比较器；其中，电压传感器包括恒流源、动态参考电压发生器、升压器；恒流源固定读取电流I_read产生位线电压V_BL,位线电压V_BL经过升压器得到传感数据电压V_DATA，同时位线电压V_BL经过动态参考电压发生器产生动态参考电压V_REF；所述放大器采用全差分直接耦合电荷转移放大器；所述动态锁存电压比较器采用普通双端输入锁存器；

V_REF＝V_b-A_VV_BL，A_V是动态参考电压发生器的小信号增益，A_V1；

当STT-MRAM自旋转矩磁随机存取存储器传感电路处于高阻R_AP时，位线电压V_BL表示为V_{BL_AP}：

V_{BL_AP}＝I_read×R_AP

动态参考电压V_REF表示为V_{REF_AP}：

V_{REF_AP}＝V_b-A_VV_{BL_AP}

对应的，当STT-MRAM自旋转矩磁随机存取存储器传感电路处于低阻R_P时，位线电压V_BL表示为V_{BL_P}：

V_{BL_P}＝I_read×R_P

动态参考电压V_REF表示为V_{REF_P}：

V_{REF_P}＝V_b-A_VV_{BL_P}

其中V_b是V_REF在位线电压V_BL为零时的直流电压值。