[发明专利]磺酸基芳香化合物的新应用有效

专利信息
申请号: 201910376027.3 申请日: 2019-05-07
公开(公告)号: CN110042372B 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 黄远提;李卫明;肖亮 申请(专利权)人: 广东东硕科技有限公司
主分类号: C23C18/30 分类号: C23C18/30;C23C18/40
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 郑彤;王雯雯
地址: 510280 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 磺酸基 芳香 化合物 应用
【说明书】:

发明涉及一种的磺酸基芳香化合物的新应用,特别是涉及具有式(I)结构的磺酸基芳香化合物或其盐在非金属基材表面化学镀铜中的应用。使用含有式(I)结构的磺酸基芳香化合物的预浸液处理非金属基材,再经过活化步骤后,钯离子能较为均匀地吸附在基材上,且吸附量大,即使在钯离子浓度较低的活化液中进行处理,也能保证钯吸附量。

技术领域

本发明涉及非金属基材表面化学镀铜领域,特别是涉及磺酸基芳香化合物的新应用。

背景技术

目前,印制电路板的生产工艺中通常包括非金属基材表面(尤其是孔壁)金属化的过程。化学镀铜是非金属表面金属化的一种常见方式,而化学镀铜的工艺中需要在非金属基材表面形成一层活性催化中心来催化铜离子在基材表面的沉积。钯金属因其良好的催化活性,并且能提高铜层与基材表面的结合力,而被一直作为化学镀铜的活性催化中心。现阶段,钯催化体系主要有胶体钯和离子钯。相对于胶体钯活化体系,离子钯体系具有更好的稳定性,但离子钯中的钯离子在非金属基材上的附着力稍差并且容易分布不均匀,导致后续的化学镀铜出现漏镀。如果为了保证钯离子能完全覆盖基材表面而需要加大活化液中钯离子的浓度,则会出现贵金属钯消耗量过大,成本过高的问题。

为了解决上述钯离子不能完全覆盖以及附着力差的问题,技术人员在活化之前会先进行预浸,但现有的预浸液仍存在以下问题:调整基材表面电荷能力仍不足,导致后续活化步骤中仍存在钯离子在基材表面的吸附量低和吸附不均匀的问题,仍然会增加钯的消耗量,造成成本过高的问题。

发明内容

基于此,本发明提供一种磺酸基芳香化合物或其盐在非金属基材表面化学镀铜中的应用,使用含有式(I)结构的磺酸基芳香化合物的预浸液处理非金属基材,再经过活化步骤后,钯离子能较为均匀地吸附在基材上,且吸附量大,即使在钯离子浓度较低的活化液中进行处理,也能保证钯吸附量。

具体技术方案为:

具有式(I)结构的磺酸基芳香化合物或其盐在非金属基材表面化学镀铜中的应用;

其中,R1为取代或未取代的C8-C14烷基;

R2选自氧基、C1-C4烷基、—R3OR4—;

R3和R4分别独立地选自C1-C2烷基。

在其中一个实施例中,所述R1为羟基或卤素取代的C8-C14烷基。

在其中一个实施例中,所述R1为2-氯十二烷基、2-甲基十烷基、正十四烷基、3-乙基辛基、1-羟基辛基、正辛基;

R2选自氧基、亚甲基、异丙基、1,4-亚丁基、—R3OR4—。

在其中一个实施例中,所述非金属基材选自树脂、树脂和玻纤的混合物。

本发明还提供一种预浸液。

具体技术方案为:

一种预浸液,其原料包括具有式(I)结构的化合物或其盐;

其中,R1为取代或未取代的C8-C14烷基;

R2选自氧基、C1-C4烷基、—R3OR4—;

R3和R4分别独立地选自C1-C2烷基。

在其中一个实施例中,所述R1为羟基或卤素取代的C8-C14烷基。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东东硕科技有限公司,未经广东东硕科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910376027.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top