[发明专利]一种高效率五阶逆F类功率放大器在审

专利信息
申请号: 201910375572.0 申请日: 2019-05-07
公开(公告)号: CN109936338A 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 刘林盛;邬海峰;周杨 申请(专利权)人: 成都理工大学;成都多普勒科技有限公司
主分类号: H03F1/56 分类号: H03F1/56;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24
代理公司: 成都创新引擎知识产权代理有限公司 51249 代理人: 罗丽
地址: 610000 *** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 五阶 逆F类功率放大器 高效率 晶体管 基波 阻抗匹配网络 功率放大器 负载阻抗 高次谐波 匹配网络 晶体管导通 独立设计 寄生参数 偏置网络 五次谐波 谐波能量 直流功耗 次谐波 复杂度 敏感度 电阻 去耦 阻抗 电路 调试 放大 供电 输出 优化 网络
【权利要求书】:

1.一种高效率五阶逆F类功率放大器,其特征在于,包括输入基波匹配网络、晶体管、寄生参数调节网络、逆F类高次谐波匹配网络、输出基波匹配网络;

所述输入基波匹配网络的输入端作为整个所述功率放大器的输入端;所述输入基波匹配网络的输出端连接所述晶体管的栅极,所述晶体管的漏极连接所述寄生参数调节网络的输入端,所述晶体管的源极接地;所述寄生参数调节网络的输出端连接所述逆F类高次谐波匹配网络的输入端,所述逆F类高次谐波匹配网络的输出端连接所述输出基波匹配网络的输入端;所述输出基波匹配网络的输出端作为整个所述功率放大器的输出端。

2.如权利要求1所述的功率放大器,其特征在于,还包括供电去耦偏置网络,所述供电去耦偏置网络包括栅极直流偏置单元和漏极直流偏置单元,所述栅极直流偏置单元与输入基波匹配网络的第三端口连接,所述漏极直流偏置单元与所述逆F类高次谐波匹配网络的第三端口连接。

3.根据权利要求2所述的功率放大器,其特征在于,所述栅极直流偏置单元包括栅极偏置电源VGG,以及由旁路电容C3和旁路电容C4构成的并联电容,所述并联电容一端接地,另一端连接栅极偏置电源VGG和所述输入基波匹配网络的第三端口;所述漏极直流偏置单元包括漏极偏置电源VDD,以及由旁路电容C5和旁路电容C6构成的并联电容,所述并联电容一端接地,另一端连接漏极偏置电源VDD和所述逆F类高次谐波匹配网络的第三端口。

4.如权利要求1或2所述的功率放大器,其特征在于,所述输入基波匹配网络包括输入隔直电容C1、开路微带线TL1、短路微带线TL2、延迟微带线TL3以及由电阻R1和电容C2构成的RC并联电路;所述输入隔直电容C1的一端连接输入基波匹配网络的输入端,另一端连接所述RC并联电路的一端,所述RC并联电路的另一端通过所述延迟微带线TL3连接到所述输入基波匹配网络的输出端;在所述RC并联电路和所述延迟微带线TL3的连接节点上连接所述开路微带线TL1和所述短路微带线TL2;所述短路微带线TL2的另一端作为所述输入基波匹配网络的第三端口。

5.根据权利要求4所述的功率放大器,其特征在于,所述寄生参数调节网络包括延迟微带线TL4和开路微带线TL5构成的L型微带线结构,所述寄生参数调节网络的输入端通过延迟微带线TL4连接到所述寄生参数调节网络的输出端,同时该输出端还并联开路微带线TL5

6.根据权利要求5所述的功率放大器,其特征在于,所述逆F类高次谐波匹配网络包括开路微带线TL6、开路微带线TL7、延迟微带线TL8、开路微带线TL9、延迟微带线TL10、短路微带线TL11;所述逆F类高次谐波匹配网络的输入端通过顺次串联的延迟微带线TL8和延迟微带线TL10连接到所述逆F类高次谐波匹配网络的输出端,同时所述逆F类高次谐波匹配网络的输入端并联开路微带线TL6和开路微带线TL7,延迟微带线TL8和延迟微带线TL10的连接节点并联有开路微带线TL9,所述逆F类高次谐波匹配网络的输出端还并联短路微带线TL11;短路微带线TL11的另一端作为逆F类高次谐波匹配网络的第三端口。

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