[发明专利]含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置

说明书

本发明涉及含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置。本发明的课题在于，在对基板上的含硅膜进行蚀刻时，减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度；和/或，在对具有形成有孔以使蚀刻对象部分露出的图案的基板上的含硅膜进行蚀刻时，使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦。本蚀刻装置是对基板上的含硅膜进行蚀刻的装置，其具备如下给气部(12)：对上述含硅膜供给至少包含F₂气的第一含氟气体和至少包含ClF₃气体、IF₇气体、IF₅气体或SF₆气体的第二含氟气体两者。

技术领域

本发明涉及基板上的含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质、及含硅膜的蚀刻装置。

背景技术

在半导体器件中，含有硅的膜被广泛应用于各种用途。例如硅(Si)膜被用于栅电极或晶种层等。而且，在半导体器件的制造工序中，施行对基板上的上述Si膜进行蚀刻的操作。

目前，可通过各种方法来进行Si膜等含硅膜的蚀刻。例如，专利文献1中公开的是使用ClF₃等氟化卤素气体对Si层进行蚀刻。另外，专利文献2中公开的是以蚀刻气体的气体体系为F₂气及NH₃气对Si进行蚀刻的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平8-153711号公报

专利文献2：日本特开2016-143781号公报

发明内容

发明要解决的问题

有时要求蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度较小。

然而，在专利文献1或专利文献2所记载的蚀刻方法中，对于上述表面粗糙度没有考虑。

另外，在对基板上的含硅膜进行蚀刻时，存在如下情况：蚀刻前在上述基板上形成有基于氧化膜等的图案，且在图案中形成有孔以使含硅膜的蚀刻对象部分露出。在这种情况下，有时需要上述孔的内部中蚀刻后的含硅膜的表面是平坦的。然而，在专利文献1或专利文献2所记载的蚀刻方法中，对于图案的孔的内部的含硅膜的平坦性没有考虑。

因而，目前的含硅膜的蚀刻方法尚有改善的余地。

本发明是鉴于上述情形而完成的，其目的在于，在对基板上的含硅膜进行蚀刻时，减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度；和/或，在对具有形成有孔以使蚀刻对象部分露出的图案的基板上的含硅膜进行蚀刻时，使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦。

用于解决问题的方案

为了实现前述目的，本发明人进行了潜心研究，结果得知：在对含硅膜进行蚀刻时，如果使用至少包含F₂气的第一含氟气体和至少包含ClF₃气体、IF₇气体、IF₅气体或SF₆气体的第二含氟气体两者，则能够减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度。另外，本发明人进行了潜心研究，结果得知：在对孔的内部的含硅膜进行蚀刻时，如果使用上述第一含氟气体及上述第二含氟气体两者，则能够使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦。需要说明的是，对于通过使用上述第一含氟气体及上述第二含氟气体两者能够减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度、及能够使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦的情况，在后述的实施方式中详细地进行说明。

本发明是基于上述见解而完成的，本发明是对基板上的含硅膜进行蚀刻的方法，其特征在于，使用至少包含F₂气的第一含氟气体和至少包含ClF₃气体、IF₇气体、IF₅气体或SF₆气体的第二含氟气体两者，对前述含硅膜进行蚀刻。