[发明专利]一种用于调查晶圆背面异常的定位方法

说明书

本发明提供一种用于调查晶圆背面异常的定位方法，提供一套集光源、透镜、定位图案等构件于一体而获得集成电路生产中调查晶圆背面异常的定位电子图像；通常使用场合,光源、透镜、定位图案以及晶圆位于同一直线上而易获得满意的背面图像；调整透镜与所述光源的距离，使得定位图案的投影边缘与晶圆的边缘对准；通过照相或图示记录纸记录晶圆背面待测图像中的异常点所在位置。本发明利用电子定位图案直接投影在晶圆待测背面上实现晶圆背面的精准定位。调整位置使图案槽口标记与晶圆槽口对准,图案边缘与晶圆边缘对准获得最后的实际照相效果图，定位精度高,使用方便。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种用于调查晶圆背面异常的定位方法。

背景技术

在晶圆制造过程中不时会出现各种异常,高端客户在最后出厂时对产品会签订高质量的外观合同,如色差,沾污,缺口,划伤和印记等有严格的要求。

由于在洁净室内调查背面异常时不能直接接触晶圆(wafer)的背面，不能用通常的方法实现丈量,定位和取证,易引发污染或致wafer跌落受损,因此给工程师调查工作带来很大的困难。目前阶段调查背面异常手段极其缺少,为了取证,一般采用间接的图示记录结合照相的方法,把信息通过专用相机和电脑取出后带回办公室进行分析和判断,策划进一步方案,调查周期较长,效率低且多枚数时容易出错,有时误差也较大。

能否采用更加直接一些的方法实现调查背面异常的实际丈量,定位和取证。如果能实现,对工程师解决背面问题的效率将会是极大的提高。

因此，需要提出一种新的用于调查晶圆背面异常的定位方法来解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种用于检查晶圆背面异常的定位方法，用于解决现有技术中由于调查周期较长,效率低且多枚数时容易出错,误差也较大的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种用于调查晶圆背面异常的定位方法，所述方法至少包括以下步骤：步骤一、提供光源、透镜、定位图案以及晶圆的背面待测图像；步骤二、将所述透镜置于所述光源和所述定位图案之间；将所述晶圆的背面图像置于所述定位图案的透光一侧；所述光源、透镜、定位图案以及所述晶圆的背面图像的中心位于一条直线上；步骤三、调整所述透镜与所述光源的距离，使得所述定位图案的投影边缘与所述晶圆的背面图像边缘对准；

步骤四、记录所述晶圆背面待测图像中的晶圆异常点所在定位图案中的位置。

优选地，所述光源使用白光源，所述光源采用充电方式。

优选地，所述透镜为凸透镜或透镜组合。

优选地，所述定位图案为多个同心圆，并且沿最外圆形的半径分为多个扇形区域。

优选地，所述同心圆的个数为10个，相邻圆之间的距离间隔为1cm；该定位图案沿最外圆形的半径，在360度范围内平均分为多个扇形区域。

优选地，所述定位图案中，沿最外圆形的半径在360度范围内平均分为12个扇形区域。

优选地，所述同心圆中由里向外的第五个圆形和第十个圆形，其线型相比其他圆形的线型加粗一倍，其他圆形的线型相同。

优选地，对所述定位图案的同心圆进行编号，由中心向外依次编号为1-10。

优选地，对所述定位图案中的12个扇形区域依次编号为1-12。

优选地，对所述定位图案中的12个扇形区域顺时针依次编号为1-12，每个编号标记在最外圆形划分为扇形的对应半径边缘。优选地，步骤三中还包括调整所述定位图案，使所述定位图案中编号标记6对应半径边缘的投影槽口标记与所述晶圆背面待测图像中槽口重合。

优选地，步骤四中记录所述晶圆背面待测图像中的晶圆异常点所在定位图案中的位置的方法包括：用拍照的形式或用记录纸笔记记录。