[发明专利]背对背堆叠芯片

权利要求书

1.一种电路，其包括：

第一芯片，其具有有源侧和背侧，其中所述第一芯片以倒装晶片方式安装到载体；及

第二芯片，其堆叠在所述第一芯片的所述背侧上，其中所述第二芯片堆叠在所述第一芯片上，使得所述第二芯片的背侧面向所述第一芯片的所述背侧，并且所述第二芯片的有源侧背对所述第一芯片。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一芯片的所述背侧上包括金属层。

3.根据权利要求2所述的电路，其包括将所述第一芯片的所述金属层耦合至所述载体的一个或多个接合导线。

4.根据权利要求3所述的电路，其中所述金属层耦合至DC接地端、DC偏电压或滤波器网络中的一个。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二芯片的所述背侧电耦合至所述第一芯片的所述背侧。

6.根据权利要求5所述的电路，其中所述第二芯片是使用导电环氧树脂或焊料中的一个而安装到所述第一芯片。

7.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一芯片具有横向结构，并且包括高侧装置和低侧装置；且

其中所述第二芯片具有横向结构，且包括用于所述高侧装置和所述低侧装置的控制器。

8.根据权利要求1所述的电路，其包括：

晶片封装，其围绕所述第一芯片和所述第二芯片，其中所述载体包括多个引线，其中所述第一芯片经过安装使得所述有源侧耦合至所述多个引线中的一个或多个。

9.根据权利要求8所述的电路，其包括将所述第二芯片的所述有源侧耦合至所述多个引线的子集的接合导线，其中所述多个引线的所述子集安置成至少部分地从所述第一芯片的占据面积向外。

10.根据权利要求9所述的电路，其中所述多个引线的子集安置成与所述第一芯片的所述有源侧部分地相对并且从所述第一芯片的占据面积部分地向外，其中所述子集耦合至所述第一芯片的所述有源侧并且耦合至所述多个接合导线中的一个或多个。

11.根据权利要求8所述的电路，其包括热插塞，所述热插塞热耦合至所述第一芯片的所述背侧并且暴露于所述晶片封装的外表面处。

12.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一芯片在所述背侧上包括金刚石。

13.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二芯片是使用非导电性环氧树脂而安装到所述第一芯片。

14.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一芯片包括选自包括以下各者的组的衬底：硅、绝缘体上硅、金刚石上硅、硅上金刚石上硅、氮化镓、砷化镓。

15.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一芯片包括P-衬底、P-上Pepi衬底、P+上Pepi衬底中的一个。

16.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一芯片在所述有源侧上包括焊料凸块、铜柱或可焊接衬垫中的一个。

17.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路包括功率变换系统，所述功率变换系统包括DC至DC功率变换器、充电器、热调换控制器、AC至DC转换器、桥式驱动器、降压转换器、升压转换器、降压升压转换器和同步降压转换器中的一个。

18.根据权利要求1所述的电路，其包括：

第三芯片，其堆叠在所述第一芯片的所述背侧上，其中所述第三芯片堆叠在所述第一芯片上，使得所述第三芯片的背侧面向所述第一芯片的所述背侧并且所述第三芯片的有源侧背对所述第一芯片。