[发明专利]有机发光显示面板有效
| 申请号: | 201910372309.6 | 申请日: | 2019-05-06 |
| 公开(公告)号: | CN110071163B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
| 发明(设计)人: | 范英春 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 | ||
一种有机发光显示面板,包括:基板、形成于基板上的驱动晶体管和电容元件,以及形成于驱动晶体管上及电容元件的上方的发光元件。电容元件间隔设置于发光元件的发光区内,且各电容元件的第一电极和第二电极分别电连接驱动晶体管的第一端和控制端,使得多个电容元件并联连接。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光显示面板。
背景技术
图1为现有的有机发光显示面板(Organic Light Emitting Display panel)的局部剖视图。对于有机发光显示面板1的每个像素,会为其设置一个存储电容Cst来维持驱动电晶体的栅极电位。通常,存储电容Cst必须具有足够大的电容值以确保所需的输出电流,因此它的布局区域会对有机发光显示面板1的开口率(aperture ratio)有所影响。再者,在现有制程中,像素定义层10通常会在存储电容Cst的布局区域外衍生出边际区域MA,此又进一步降低有机发光显示面板1的开口率。
因此,有必要提供一种有机发光显示面板,以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有机发光显示面板,能够有效提升有机发光显示器的开口率。
为实现上述目的,本发明提供一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:基板;形成于所述基板上的驱动晶体管和多个电容元件;以及形成于所述驱动晶体管上及所述多个电容元件的上方的发光元件;其中,所述多个电容元件间隔设置于所述发光元件的发光区内,且各所述多个电容元件的第一电极和第二电极分别电连接所述驱动晶体管的第一端和控制端,使得所述多个电容元件并联连接。
在一些实施例中,其中所述发光元件包括阳极层、阴极层以及设置于所述阳极层和所述阴极层之间的有机发光层,所述阳极层电连接所述驱动晶体管的第一端。
在一些实施例中,所述有机发光显示面板还包括:形成于所述阳极层上的像素定义层,其中所述像素定义层具有对应于所述发光区的开口。
在一些实施例中,其中所述驱动晶体管的第一端和各所述多个电容元件的第一电极一体形成于所述基板上。
在一些实施例中,其中所述驱动晶体管的控制端和各所述多个电容元件的第二电极一体形成于所述基板上。
在一些实施例中,其中各所述多个电容元件的第一电极的材料选自铝、钼、铜、氧化铟锡、银或金属合金的其中一种。
在一些实施例中,其中各所述多个电容元件的第二电极的材料选自铝、钼、铜、氧化铟锡、银或金属合金的其中一种。
在一些实施例中,其中所述驱动晶体管的控制端为栅极。
在一些实施例中,其中所述驱动晶体管的第一端为漏极。
在一些实施例中,其中所述驱动晶体管的第二端电连接电压源。
为让本发明的特征以及技术内容能更明显易懂,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考用,并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为现有的有机发光显示面板的局部剖视图;
图2为根据本发明实施例的有机发光显示面板的局部剖视图;
图3为图2的有机发光显示面板的等效电路图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术手段及其效果更加清楚明确,以下将结合附图对本发明作进一步地阐述。应当理解,此处所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例,并不用于限定本发明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910372309.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示面板
- 下一篇:一种显示基板及其亮度调节方法、显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





