[发明专利]超结MOS器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种超结MOS器件结构，其特征在于，包括：

第一导电类型衬底；

第一导电类型外延层，位于所述第一导电类型衬底的表面；

多个第二导电类型柱，间隔分布于所述第一导电类型外延层内，以在各所述第二导电类型柱之间间隔出第一导电类型柱而形成超结结构，第二导电类型不同于第一导电类型；

多个第二导电类型阱区，位于所述第一导电类型外延层内，且位于所述第二导电类型柱的上表面；

第一导电类型源区，位于所述第二导电类型阱区内；

第二导电类型阱引出区，位于所述第二导电类型阱区内，且和所述第一导电类型源区相邻设置；

栅极，包括栅氧化层、栅极导电层及层间介质层；其中，所述栅氧化层位于所述第一导电类型柱的上表面及所述第二导电类型阱区的部分上表面；所述栅极导电层位于所述栅氧化层的上表面；所述层间介质层位于所述栅极导电层的上表面及侧壁；

栅极间隔层，位于所述栅极内，所述栅极间隔层包括间隔绝缘层及间隔金属层，所述间隔绝缘层位于所述第一导电类型柱的上表面，所述间隔金属层位于所述间隔绝缘层的上表面，所述栅极间隔层将所述栅极导电层间隔成至少两部分，所述间隔金属层、间隔绝缘层和超结结构的第一导电类型柱在纵向上形成MIS二极管；

源极金属层，位于所述第二导电类型阱引出区的表面及所述第一导电类型源区的表面；

漏极金属层，位于所述第一导电类型衬底远离所述第一导电类型外延层的表面。

2.根据权利要求1所述的超结MOS器件结构，其特征在于：所述第二导电类型柱的下表面与所述第一导电类型衬底之间具有间距，所述第一导电类型源区的下表面和所述第二导电类型阱区的下表面之间具有间距。

3.根据权利要求1所述的超结MOS器件结构，其特征在于：所述栅氧化层和所述间隔绝缘层相连接。

4.根据权利要求1所述的超结MOS器件结构，其特征在于：所述第一导电类型为N型且所述第二导电类型为P型，或所述第一导电类型为P型且所述第二导电类型为N型。

5.根据权利要求1所述的超结MOS器件结构，其特征在于：所述间隔金属层的宽度不大于所述第一导电类型柱的上表面宽度。

6.根据权利要求1所述的超结MOS器件结构，其特征在于：所述间隔金属层的宽度为2~3μm。

7.根据权利要求1所述的超结MOS器件结构，其特征在于：所述间隔绝缘层的材料包括高K介质材料。

8.根据权利要求1至7任一项所述的超结MOS器件结构，其特征在于：所述第一导电类型衬底的掺杂浓度和所述第一导电类型源区的掺杂浓度相同且大于所述第一导电类型外延层的掺杂浓度，所述第二导电类型阱引出区的掺杂浓度大于所述第二导电类型柱的掺杂浓度。