[发明专利]一种阵列基板、显示面板和显示装置

说明书

本申请涉及薄膜晶体管制备方法技术领域，公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，阵列基板包括：衬底基板；形成于所述衬底基板上的驱动晶体管，所述驱动晶体管包括依次形成于所述衬底基板上的遮挡金属层、栅极金属层、绝缘层和源漏金属层，所述栅极金属层位于所述遮挡金属层与所述源漏金属层之间，其中，所述源漏金属层用于与所述栅极金属层配合形成电容的部位设有镂空结构，所述镂空结构在所述衬底上的正投影位于所述栅极金属层在所述衬底上的正投影内。本申请提供的阵列基板，通过对源漏金属层设置镂空结构，源漏金属层和栅极金属层能够形成遮光结构，保证了薄膜晶体管的光照稳定性，也便于对栅极金属层的检测和解析。

技术领域

本申请涉及薄膜晶体管制备方法技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术

在现有的薄膜晶体管制备工艺中，参见图1和图2，其中，图2为图1由A处的右侧视图，驱动晶体管对应的部分包括了：屏蔽金属层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极金属层、绝缘层和源漏金属层，由于形成的薄膜晶体管内部结构较为复杂，栅极金属层位于屏蔽金属层和源漏金属层之间，由于金属层材质的问题，不便于对位于中间位置的栅极金属层进行检测和解析。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板，用于解决对位于中间位置的栅极金属层进行检测和解析的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种阵列基板，包括：

衬底基板；

形成于所述衬底基板上的驱动晶体管，所述驱动晶体管包括依次形成于所述衬底基板上的遮挡金属层、栅极金属层、绝缘层和源漏金属层，所述栅极金属层位于所述遮挡金属层与所述源漏金属层之间，其中，所述源漏金属层用于与所述栅极金属层配合形成电容的部位设有镂空结构，所述镂空结构在所述衬底上的正投影位于所述栅极金属层在所述衬底上的正投影内。

本发明提供的阵列基板，在驱动晶体管的结构中，将源漏金属层与栅极金属层配合形成电容的部位设置镂空结构，即将原本对应于镂空结构的源漏金属层部分去除，同时使得保留的源漏金属层仍能够与栅极金属层配合形成电容，且仍能够形成遮光结构，而镂空结构使得栅极金属层露出，便于后期的检测和解析。

因此，本发明提供的阵列基板，通过对源漏金属层设置镂空结构，在栅极金属层的上方形成U形金属图案，同时源漏金属层和栅极金属层能够形成遮光结构，既保证了薄膜晶体管的光照稳定性，也便于对栅极金属层的检测和解析。

优选地，沿行方向，所述镂空结构的一侧开口。

优选地，所述阵列基板还包括：依次形成于所述遮挡金属层和所述栅极金属层之间的缓冲层、有源层和栅绝缘层。

优选地，所述绝缘层为无机层。

优选地，沿列方向，所述镂空结构的宽度小于或等于所述栅极金属层的宽度。

优选地，沿行方向，所述镂空结构的长度小于所述栅极金属层的长度。

优选地，所述电容位于漏极金属层在所述衬底上的正投影与所述栅极金属层在所述衬底上的正投影交叠的部位。

优选地，还包括用于将数据线和所述源漏金属层连接的开关晶体管。

本申请还提供了一种显示面板，包括如上述任一项的阵列基板。

本申请还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。

附图说明

图1为现有技术中阵列基板的俯视简化结构图；

图2为现有技术中阵列基板的侧视结构图；

图3为本申请中阵列基板的俯视简化结构图；

图4为本申请中阵列基板的侧视结构图；