[发明专利]三氧化钨/石墨相氮化碳复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910371498.5 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111889122B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李轶;白晓宇;刘晓慧;谢良波 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;C02F1/461;C02F1/467;C02F1/30;C02F1/72;C02F101/36 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化钨 石墨 氮化 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种WO3/g-C3N4复合材料在类光电芬顿体系降解CIP中的应用，其特征在于，WO3/g-C3N4复合材料的制备方法包括以下步骤：
1)将钨酸盐与蒸馏水混合，室温20～25℃下搅拌10～30min，得到A溶液，将双氰胺加入到所述A溶液中，室温20～25℃下搅拌10～30min，得到B溶液，将葡萄糖加入至B溶液中，室温20～25℃下搅拌10～30min，得到C溶液，其中，按物质的量份数计，所述钨酸盐、双氰胺和葡萄糖的比为1：(4～10)：(20～30)；
2)将所述C溶液于180～200℃水热反应18～20h，自然冷却至室温20～25℃，离心，先后依次分别用蒸馏水和乙醇洗涤，洗涤后在60～80℃干燥10～12h，得到固体；
3)将所述固体于400～550℃煅烧3～5h，自然冷却至室温20～25℃，得到WO3/g-C3N4复合材料；
所述类光电芬顿体系的条件为：向CIP废水投入WO3/g-C3N4复合材料，再向CIP废水中放入作为阴极的碳毡和作为阳极的铂片，通入O2并进行光照，进行CIP类光电芬顿体系降解；
在所述步骤1)中，所述A溶液中钨酸盐的浓度为0.01～0.05mmol·L-1；
该WO3/g-C3N4复合材料的粒径为50～100nm；
该WO3/g-C3N4复合材料的平均孔径为15.38nm；
所述CIP废水的pH为2～9。
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