[发明专利]一种含芴的化合物、空穴注入材料、OLED器件及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种含芴的化合物，其特征在于，所述含芴的化合物的结构如式I所示：

其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁和R₁₂独立地选自氢、卤素原子、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳氧基中的任意一种；

X₁和X₂独立地选自亚烷基或取代的亚烷基中的任意一种。

2.根据权利要求1所述的含芴的化合物，其特征在于，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁和R₁₂独立地选自卤素原子、氰基、取代的烷基、烯基、取代的烯基、芳基或取代的芳基中的任意一种；

优选地，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁和R₁₂独立地选自氟原子、氰基、三氟甲基、乙烯基、二氰基乙烯基、苯基、芴基或三氟甲基取代的苯基中的任意一种。

3.根据权利要求1或2所述的含芴的化合物，其特征在于，X₁和X₂独立地选自亚烷基、氟取代的亚烷基或氰基取代的亚烷基中的任意一种；

优选地，X₁和X₂独立地选自亚甲基、二氟亚甲基或二氰基亚甲基中的任意一种。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的含芴的化合物，其特征在于，所述含芴的化合物包括中的任意一种；

优选地，所述含芴的化合物为中的任意一种。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的含芴的化合物的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括将化合物a与化合物b在钯催化剂催化下进行偶联反应得到所述含芴的化合物，其中化合物a的结构为化合物b的结构为R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁和R₁₂以及X₁和X₂与权利要求1限定的范围相同。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述化合物a和化合物b的摩尔比为1:1～1.2；

优选地，所述钯催化剂包括四(三苯基膦)钯和/或醋酸钯；

优选地，以摩尔用量计算，所述钯催化剂的用量为化合物a的0.1％～5％；

优选地，所述偶联反应在镁存在下进行；

优选地，所述化合物a与镁的摩尔比为1:1.1～1.5。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述偶联反应的溶剂为乙醚和/或四氢呋喃；

优选地，所述偶联反应在保护性气体保护下进行；

优选地，所述保护性气体包括氮气、氖气或氩气中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述偶联反应的温度为30～100℃；

优选地，所述偶联反应的时间为20～100h。