[发明专利]一种自适应恒流装置

权利要求书

1.一种自适应恒流装置，其特征在于，包括：检测模块、储能模块、电压调节模块和恒流控制模块；

所述检测模块分别与发光二极管装置和所述储能模块连接，用于检测所述发光二极管装置中的电流为非恒流状态并发送储能控制信号给所述储能模块；

所述储能模块与所述电压调节模块连接，用于根据所述储能控制信号进行充放电并控制所述电压调节模块抽取电流；

所述电压调节模块与所述恒流控制模块连接，用于抽取基准电流源中的电流，以调整所述恒流控制模块的基准电压；

所述恒流控制模块与所述发光二极管装置连接，用于调节预设的所述发光二极管装置的电流的上限值使所述发光二极管的电流维持在恒定的范围之内。

2.根据权利要求1所述的自适应恒流装置，其特征在于，

所述检测模块包括：比较器；

所述比较器用于将正向输入端输入的电压与负向输入端输入的电压进行比较，输出有效电平电压信号；

所述储能模块包括：开关和电容；

所述开关与所述比较器连接，用于接收到所述有效电平电压信号后导通，使所述电容器进行充电以控制所述电压调节模块抽取电流；

所述电压调节模块为压控电流源，用于从所述基准电流源中抽取电流，以降低所述恒流控制模块输入端的基准电压；

所述恒流控制模块，用于调节所述发光二极管装置中电流的上限值。

3.根据权利要求2所述的自适应恒流装置，其特征在于，所述电容器充电的电压与所述有效电平电压信号的占空比成正比例关系。

4.根据权利要求1所述的自适应恒流装置，其特征在于，所述恒流控制模块包括：运算放大器X、场效应晶体管M1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和电阻R0；

所述运算放大器X的正向输入端分别于所述第一电阻R1、第二电阻R2和所述电压调节模块连接，所述运算放大器X的负向输入端分别与所述检测模块、电阻R0的一端以及所述场效应晶体管M1的源级S连接，所述运算放大器的输出端与所述场效应晶体管M1的栅极G连接；

所述场效应晶体管M1的漏极D与所述发光二极管装置连接；

所述第一电阻R1的另一端输入基准源信号；

所述第二电阻R2的一端与所述第一电阻R1的一端连接，所述第二电阻R2的另一端分别与所述第三电阻R3的一端以及与所述检测模块连接。

5.根据权利要求4所述的自适应恒流装置，其特征在于，R2<<R3。

6.根据权利要求4所述的自适应恒流装置，其特征在于，所述电压调节模块为压控电流源Q；

所述压控电流源Q的控制端与所述储能模块连接，所述压控电流源Q的输入端与所述运算放大器X的正向输入端连接。

7.根据权利要求4所述的自适应恒流装置，其特征在于，所述检测模块包括：比较器Y和上拉电阻R’；

所述比较器Y的正向输入端分别与所述运算放大器X的负向输入端、所述电阻R0的一端以及所述场效应晶体管M1的源极连接，所述比较器Y的负向输入端均与所述第二电阻R2的另一端、所述第三电阻R3的一端连接，所述比较器Y的输出端与分别与所述储能模块和所述上拉电阻R’的一端连接；

所述上拉电阻R'的另一端与电源连接。

8.根据权利要求1所述的自适应恒流装置，其特征在于，所述储能模块包括：开关M2、电容C1、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6；

所述电容C1的一端分别与所述第五电阻R5的一端和所述开关M2的漏极D连接；

所述第四电阻R4的一端与所述开关M2的源极S连接，所述第四电阻R4的第二端与电源输入端连接；

所述第六电阻R6的一端与所述开关M2的栅极G连接，所述第六电阻R6的另一端与所述检测模块连接。

9.根据权利要求4至7任一项所述的自适应的恒流装置，其特征在于，所述场效应晶体管为NMOS管或者为NPN三极管。

10.根据权利要求8所述的自适应的恒流装置，其特征在于，所述开关为PMOS管、NMOS管、PNP管或NPN管。