[发明专利]吸收器及其制备方法

说明书

本发明涉及吸收器的技术领域，尤其涉及一种吸收器及其制备方法。该吸收器包括基板、第一金属层、相变材料层及第二金属层，第一金属层设置在基板上，相变材料层设置在第一金属层背离基板的一侧表面，第二金属层设置在相变材料层背离第一金属层的一侧表面上，第二金属层包括多个金属单元，多个金属单元间隔排布。该吸收器能够在相变材料层发生相变时改变在特定波长段的吸收率，以此实现吸收器的可调谐性，而不需要将超材料浸泡在液晶之中，从而简化了整个吸收器的结构，降低了生产成本。该制备方法，获得的吸收器精度好，不需要设置多个金属层，制备方便，生产成本低。

技术领域

本发明涉及吸收器的技术领域，尤其涉及一种吸收器及其制备方法。

背景技术

传统的超表面结构吸收器为了实现可调控可切换的目的，需要将超材料浸泡在液晶之中，通过外加电场调节液晶的折射率而实现吸收器吸收光谱的频率可调谐性。

这种可调控可切换的实现方式导致整个超表面结构吸收器结构复杂，生产成本高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：针对现有的超表面结构吸收器结构复杂及生产成本高的技术缺陷，提供一种吸收器及其制备方法。

为解决上述技术问题，本发明实施例一方面提供一种吸收器，包括：

基板；

第一金属层，设置在所述基板上；

相变材料层，设置在所述第一金属层背离所述基板的一侧表面上；及

第二金属层，设置在所述相变材料层背离所述第一金属层的一侧表面上，所述第二金属层包括多个金属单元，多个所述金属单元间隔排布。

可选地，多个所述金属单元的尺寸不同。

可选地，多个所述金属单元呈阵列排布，处于同一行的多个金属单元的中心位于第一直线上，处于同一列的多个金属单元的中心位于第二直线上，所述第一直线与所述第二直线呈夹角设置。

可选地，所述第一直线与所述第二直线垂直设置。

可选地，所述金属单元包括第一边及第二边，所述第一边与所述第二边交叉设置，所述第一边在所述第一直线上的截取尺寸等于所述第二边在所述第二直线上的截取尺寸，所述第一边在所述第一直线上的截取尺寸为金属单元的第一尺寸；

多个所述金属单元的第一尺寸不同。

可选地，在第一方向及第二方向上，所述金属单元的第一尺寸均逐渐增大，所述第一直线的延伸方向与第一方向平行，所述第二直线的延伸方向与第二方向平行。

可选地，相邻的两行，在第一方向上及第二方向上，位于第二行第一列的金属单元的第一尺寸大于位于第一行最后一列的金属单元的第一尺寸。

可选地，所述第一边在所述第二直线上的截取尺寸等于所述第二边在所述第一直线上的截取尺寸，金属单元的第一边在所述第二直线上的截取尺寸为金属单元的第二尺寸，多个金属单元的第二尺寸一致。

可选地，所述相变材料层为GST层，所述相变材料层的厚度是225nm。

本发明实施例的吸收器，包括基板、第一金属层、相变材料层及第二金属层，第一金属层设置在基板上，相变材料层设置在第一金属层背离基板的一侧表面，第二金属层设置在相变材料层背离第一金属层的一侧表面上，第二金属层包括多个金属单元，多个金属单元间隔排布。该吸收器能够在相变材料层发生相变时改变在特定波长段的吸收率，以此实现吸收器的可调谐性，而不需要将超材料浸泡在液晶之中，从而简化了整个吸收器的结构，降低了生产成本。

本发明另一实施例提供一种吸收器的制备方法，准备基板；

在基板的一侧表面镀金属得到第一金属层；