[发明专利]一种蒸发源装置有效

专利信息
申请号: 201910363036.9 申请日: 2019-04-30
公开(公告)号: CN110042345B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 肖世艳;彭久红 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 蒸发 装置
【权利要求书】:

1.一种蒸发源装置,其特征在于,包括:

主坩埚组件,包括多个倾斜排列的主坩埚,每一所述主坩埚均包括N个喷嘴,所述主坩埚组件的喷嘴阵列分布形成平行四边形;以及,

补位坩埚组件,包括N-1个补位坩埚,所述补位坩埚组件的喷嘴的连线形成直角三角形,以将所述主坩埚组件的喷嘴阵列填补为矩形方阵;

其中,所述矩形方阵中任意相邻每一排和每一列的喷嘴用于喷出的蒸镀材料种类均相同,且任意相邻的两个喷嘴用于喷出不相同的蒸镀材料;

所有所述主坩埚的形状相同,任意相邻所述主坩埚沿着纵向等间距、平行设置。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述主坩埚倾斜排列的方向与纵向呈预设角度α,且0°<α<90°。

3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述补位坩埚的倾斜角度与所述主坩埚的倾斜角度相同。

4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,N-1个所述补位坩埚的喷嘴数目呈等差数列,所述等差数列的首项为1,公差为1,其中,N大于或等于3。

5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述矩形方阵中每一排的喷嘴的数量相同,每一列的喷嘴的数量也相同。

6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,任意坩埚的形状为圆柱体或者长圆柱体,且任意坩埚的扫描方向与纵向垂直。

7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,同一个坩埚用于存放相同蒸镀材料,任意相邻坩埚用于存放不同蒸镀材料。

8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,不同种类的蒸镀材料依次交替设置到蒸发源装置中自右而左,自上而下排列的坩埚中。

9.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,围绕蒸发源装置轮廓上设置有多层制限板,所述制限板的内壁向所述制限板的中心倾斜或弯曲。

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