[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201910362708.4 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110085705A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 汤茂亮;柯天麒;王阳阳;刘少东 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/103;H01L31/0312 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂层 二极管 导电类型 扩散层 半导体器件 顶层 离子 热处理 顶部区域 扩散 衬底 半导体 表面形成 去除 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底中形成二极管掺杂层；
在所述二极管掺杂层中的顶部区域形成顶层掺杂层，所述顶层掺杂层的导电类型与二极管掺杂层的导电类型相反；
形成所述顶层掺杂层的方法包括：在所述二极管掺杂层的表面形成扩散层，所述扩散层中具有扩散离子，所述扩散离子的导电类型与二极管掺杂层的导电类型相反；进行热处理，使扩散层中的扩散离子进入二极管掺杂层中的顶部区域；进行所述热处理后，去除所述扩散层。
2.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述顶层掺杂层的厚度为10纳米～80纳米。
3.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述扩散层的材料包括掺硼硅玻璃，所述扩散离子包括硼离子。
4.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述扩散层的方法包括：采用沉积工艺在所述二极管掺杂层的表面形成扩散层，在沉积扩散层的过程中，在扩散层中原位掺杂扩散离子。
5.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述热处理包括退火处理。
6.根据权利要求5所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述退火处理包括快速热处理或尖峰退火。
7.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述热处理的温度为500摄氏度～900摄氏度。
8.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述扩散层的厚度为0.2微米～0.7微米。
9.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述二极管掺杂层的导电类型为N型，所述半导体衬底的导电类型为P型；所述顶层掺杂层的导电类型为P型。
10.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在进行热处理之前，所述扩散层中扩散离子的浓度为5E18atom/cm3～5E21atom/cm3；进行热处理之后，顶层掺杂层中扩散离子的浓度为1E18atom/cm3～1E20atom/cm3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
