[发明专利]电子倍增电荷耦合器件倍增寄存器防杂散信号干扰结构

权利要求书

1.电子倍增电荷耦合器件倍增寄存器防杂散信号干扰结构，电子倍增电荷耦合器件为传统的帧转移结构，包括光敏区、储存区、水平寄存器、倍增寄存器和输出放大器，其中光敏区与储存区连接，储存区上设置有水平寄存器，水平寄存器与倍增寄存器的一端连接，倍增寄存器的另一端与输出放大器连接，其特征在于，所述水平寄存器、倍增寄存器和输出放大器表面设置有一层N型掺杂的杂散信号收集区。

2.根据权利要求1所述的电子倍增电荷耦合器件倍增寄存器防杂散信号干扰结构，其特征在于，所述杂散信号收集区与倍增寄存器边界的间隔为5～10μm。

3.根据权利要求1所述的电子倍增电荷耦合器件倍增寄存器防杂散信号干扰结构，其特征在于，杂散信号收集区的单侧宽度为大于50μm。

4.根据权利要求1～3任一所述的电子倍增电荷耦合器件倍增寄存器防杂散信号干扰结构，其特征在于，所述光敏区、储存区、水平寄存器、倍增寄存器、放大器的周边外围设置有一层N型掺杂的杂散信号收集区。

5.根据权利要求4所述的电子倍增电荷耦合器件倍增寄存器防杂散信号干扰结构，当电子倍增电荷耦合器件处于工作状态时，防杂散信号干扰结构，即水平寄存器、倍增寄存器和输出放大器表面设置的一层N型掺杂的杂散信号收集区，连接高电压。