[发明专利]增加固体材料层和流体材料层之间贴附性的方法

说明书

本发明公开一种增加固体材料层和流体材料层之间贴附性的方法，包含提供一固体材料层，对固体材料层进行一氧等离子体制作工艺，以增加固体材料层的表面平坦度，其中氧等离子体制作工艺的操作条件包含输入氧气体和氮气体，氧气体流量介于6000至8000每分钟标准毫升，氮气体流量介于600至1000每分钟标准毫升，最后在氧等离子体制作工艺后，形成一流体材料层直接接触固体材料层的表面。

技术领域

本发明涉及一种增加固体材料层和流体材料层之间贴附性的方法，特别是涉及用于光刻制作工艺之前形成掩模材料的方法。

背景技术

半导体集成电路工业历经了指数性的成长，集成电路材料及设计的技术发展已创造了数代集成电路，每一代都有比上一代更小且更复杂的电路。集成电路的演化的过程中，元件密度不断提升，而元件尺寸则不断缩小，尺寸缩小的制作工艺一般提供了生产效率的提升以及减少相关的浪费，增加了制作工艺及生产的复杂性。

光刻制作工艺为一种用于将集成电路的图案转移至半导体基板上的传统方法，其普及应用之一为在半导体装置的制造期间执行曝光以定义图案或图像，其可通过形成具有各种电、物理或化学特性的各种层的形状或图案来制造集成电路(IC)和其他半导体装置。

在光刻制作工艺中，光致抗蚀剂图案的品质直接影响了集成电路的最终品质。然而依照传统方式所形成的光致抗蚀剂，光致抗蚀剂内部经常出现气体孔洞，造成光致抗蚀剂表面不平整，在蚀刻之后所形成的集成电路，则会因为气体孔洞导致集成电路结构上的缺陷。

发明内容

根据本发明的一优选实施例，一种增加固体材料层和流体材料层之间贴附性的方法，包含首先提供一固体材料层，对固体材料层进行一氧等离子体制作工艺，以增加固体材料层的表面平坦度，其中氧等离子体制作工艺的操作条件包含输入氧气体和氮气体，氧气体流量介于6000至8000每分钟标准毫升，氮气体流量介于600至1000每分钟标准毫升，最后在氧等离子体制作工艺后，形成一流体材料层直接接触固体材料层的表面。

根据本发明之另一优选实施例，一种增加固体材料层和流体材料层之间贴附性的方法，仅由以下步骤组成步骤(a)：提供一固体材料层，步骤(b)：对固体材料层进行一氧等离子体制作工艺，其中氧等离子体制作工艺的操作条件包含输入氧气体和氮气体，氧气体流量介于6000至8000每分钟标准毫升以及氮气体流量介于600至1000每分钟标准毫升，步骤(c)：在步骤(b)之后，形成一流体材料层直接接触固体材料层的表面。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附的附图，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1为本发明增加固体材料层和流体材料层之间贴附性的方法的流程图；

图2至图6为本发明的第一优选实施例所绘示的增加固体材料层和流体材料层之间贴附性以及蚀刻基底的方法的示意图；

图7至图8为本发明的第二优选实施例所绘示的增加固体材料层和流体材料层之间贴附性的方法的示意图；

图9至图10为本发明的第三优选实施例所绘示的增加固体材料层和流体材料层之间贴附性的方法的示意图。

主要元件符号说明

1 步骤 2 步骤

3 步骤 10 基底

12 固体材料层 14 垫氧化硅

16 垫氮化硅 18 氧等离子体制