[发明专利]微型发光二极管及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供一种微型发光二极管及其制作方法、显示装置，微型发光二极管包括依次层叠设置的第二型半导体层、发光层、第一型半导体层，第一型半导体层在第二型半导体层上的投影面积小于第二型半导体层的面积；还包括覆盖第一型半导体层的顶面、侧面、发光层的侧面、第二型半导体层的侧面、部分顶面的绝缘层，绝缘层中设置有第一过孔和第二过孔；还包括设置在绝缘层两侧的第一电极和第二电极，第一电极通过第一过孔与第一型半导体层电性连接，第二电极通过第二过孔与第二型半导体层电性连接，增大了第一电极和第二电极与电路板绑定时与电路板的接触面积，提高了绑定时的准确性和牢固性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种微型发光二极管及其制作方法、显示装置。

背景技术

目前微型发光二极管(micro-LED)显示技术在市场上逐渐受到重视，micro-LED继承了LED的优秀特性，具有低功耗、高亮度、超高分辨率、色彩饱和度高、响应速度快、寿命长等优点，有望取代现在的OLED和LCD，成为下一代新型显示技术。

微型发光二极管包括第二型半导体层、发光层、第一型半导体层和绝缘层，其中，第一型半导体层连接有第一电极，第二型半导体层连接有第二电极，第一电极和第二电极均设置在绝缘层上；另外，还设置有依次贯穿绝缘层、第一型半导体层和发光层的过孔，第二电极伸入过孔内从而与第二型半导体层电性连接。

但是，随着微型发光二极管向小型化趋势发展，第一电极和第二电极的面积越来越小，在与电路板绑定时，第一电极和第二电极与电路板的接触面积变小，导致在转移到电路板上时容易出现位置偏移，绑定的牢固性差，易发生短路。

发明内容

本发明实施例提供一种微型发光二极管及其制作方法、显示装置，用以提高微型发光二极管与电路板绑定时的准确性和牢固性。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一方面，本发明实施例提供一种微型发光二极管，包括依次层叠设置的第二型半导体层、发光层、第一型半导体层，且所述第一型半导体层在所述第二型半导体层上的投影面积小于所述第二型半导体层的面积；

还包括绝缘层，绝缘层覆盖所述第一型半导体层的顶面、侧面、所述发光层的侧面、所述第二型半导体层的侧面、部分顶面，所述绝缘层中设置有第一过孔和第二过孔；

还包括分别设置在所述绝缘层两侧的第一电极和第二电极，所述第一电极通过所述第一过孔与所述第一型半导体层电性连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述第二型半导体层电性连接。

与现有技术相比，本发明实施例提供的微型发光二极管具有如下优点：

本发明实施例提供的微型发光二极管通过在绝缘层中设置第二过孔使第二电极与第二型半导体层电性连接，避免了在第一型半导体层和发光层挖孔，降低了制程难度和制造成本；第一电极和第二电极分别跨接第一型半导体层的顶面、侧面以及第二型半导体层的侧面、部分顶面，增大了第一电极和第二电极的面积，从而增大了第一电极和第二电极与电路板绑定时与电路板的接触面积，提高了绑定时的准确性和牢固性，降低或避免了发生短路的可能性。

作为本发明实施例微型发光二极管的一种改进，所述第一型半导体层的掺杂类型为P型或N型，所述第二型半导体层的掺杂类型与所述第一型半导体层的掺杂类型相反。

作为本发明实施例微型发光二极管的一种改进，所述第一电极的至少部分顶面与所述第二电极的至少部分顶面相平齐。

作为本发明实施例微型发光二极管的一种改进，所述微型发光二极管还包括增透膜，所述增透膜设置在所述第二型半导体层背离所述发光层的一侧。

作为本发明实施例微型发光二极管的一种改进，所述第一电极和所述第二电极的光电特性测试表面露出在所述增透膜外。