[发明专利]一种高掺杂MoOx基光热转换涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种高掺杂MoO_x基光热转换涂层，其特征在于，包括基底(1)，所述基底(1)上按照由下至上的顺序依次设置的高吸收层(2)和减反射层(3)，其中，基底(1)为具有红外反射功能的基底，所述高吸收层(2)为MoO_x层，减反射层(3)为MoO_x或SiO₂介质层。

2.根据权利要求1所述的一种高掺杂MoO_x基光热转换涂层，其特征在于，所述高吸收层(2)的厚度为60～80nm。

3.根据权利要求1所述的一种高掺杂MoO_x光热转换涂层，其特征在于，所述减反射层(3)的厚度为80～130nm。

4.一种高掺杂MoO_x光热转换涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，对基底(1)进行预处理；

步骤2，在基底(1)上沉积高吸收层(2)；

步骤3，在高吸收层(3)上沉积MoO_x或SiO₂介质层。

5.根据权利要求4所述的一种高掺杂MoO_x光热转换涂层的制备方法，其特征在于，步骤1中，首先，将基底在酒精、丙酮和去离子水中经超声波清洗，其次，将清洗之后的基底装入磁控溅射沉积系统中进行溅射清洗，其中，溅射清洗的条件是：室内真空度小于1.0×10^-3Pa、通入纯度为99.999％的氩气、室内气压为5Pa、负偏压为-350V。

6.根据权利要求4所述的一种高掺杂MoO_x光热转换涂层的制备方法，其特征在于，步骤2中，将预处理后的基底放置在样品托上，将钼靶作为溅射靶材，向真空室内通入纯度99.999％的氩气，调整沉积气压，开启钼靶，采用射频电源磁控溅射法轰击钼靶，在基底上沉积MoO_x层，其中，氩气流量为35sccm，氧气来源于残余的空气，气压为0.3～0.4Pa，溅射功率为100～110W。

7.根据权利要求4所述的一种高掺杂MoO_x光热转换涂层的制备方法，其特征在于，步骤3中，以钼靶为阴极，以氩气和氧气为反应气体，向真空室内通入纯度99.999％的氩气和氧气，开启钼靶，在MoO_x吸收层上沉积一层MoO_x减反射层，其中，氩气流量为35sccm，氧气流量为30～50sccm，气压为0.4～0.5Pa，溅射功率为100～110W。

8.根据权利要求4所述的一种高掺杂MoO_x光热转换涂层的制备方法，其特征在于，步骤3中，以SiO₂靶为阴极，以氩气为溅射气体，向真空室内通入纯度99.999％的氩气，开启SiO₂靶，在MoO_x吸收层上沉积一层SiO₂减反射层，其中，氩气流量为60sccm，气压为2.5Pa，溅射功率为130～160W。