[发明专利]一种双层WOx基光热转换涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种双层WO_x基光热转换涂层，其特征在于，包括基底(1)，基底(1)上按照由下至上的顺序依次设置的高吸收层(2)和减反射层(3)，其中，高吸收层(2)为WO_x层；减反射层(3)为WO_x或SiO₂介质层。

2.根据权利要求1所述的一种双层WO_x基光热转换涂层，其特征在于，高吸收层(2)的厚度为60～70nm。

3.根据权利要求1所述的一种双层WO_x基光热转换涂层，其特征在于，减反射层(3)的厚度为80～110nm。

4.一种双层WO_x基光热转换涂层的制备方法，其特征在于，基于权利要求1-3中任一项所述的一种双层WO_x基光热转换涂层，包括以下步骤：

步骤1，步骤1，对基底(1)进行预处理；

步骤2，在基底1上沉积高吸收层(2)，其中，高吸收层(2)为WO_x层；

步骤3，在高吸收层(2)上沉积减反射层(3)，其中，减反射层(3)为WO_x或SiO₂介质层。

5.根据权利要求4所述的一种双层WO_x基光热转换涂层的制备方法，其特征在于，步骤1中，对基底(1)进行预处理的具体方法是：

首先，将基底抛光，之后依次在酒精、丙酮和去离子水中经超声波清洗；

其次，将清洗之后的基底装入磁控溅射沉积系统中进行溅射清洗，其中，溅射清洗的条件是：室内真空度小于1.0×10^-3Pa、通入纯度为99.999％的氩气、室内气压为5Pa、负偏压为-400V。

6.根据权利要求4所述的一种双层WO_x基光热转换涂层的制备方法，其特征在于，步骤1中，在基底1上沉积高吸收层(2)的具体方法是：

将预处理后的基底(1)放置在样品托上，将钨靶作为溅射靶材，向真空室内通入纯度99.999％的氩气，调整沉积气压，开启钨靶，采用射频电源磁控溅射法轰击钨靶，在基底上沉积WO_x层，其中，氩气流量为60sccm，气压为1.0～1.5Pa，溅射功率为75～100W。

7.根据权利要求4所述的一种双层WO_x基光热转换涂层的制备方法，其特征在于，步骤3中，在高吸收层(2)上沉积的减反射层(3)为WO_x介质层或SiO₂介质层。

8.根据权利要求7所述的一种双层WO_x基光热转换涂层的制备方法，其特征在于，步骤3中，在高吸收层(2)上沉积WO_x介质层的具体方法是：

以钨为阴极，以氩气和氧气为反应气体，向真空室内通入纯度99.999％的氩气和氧气，开启钨靶，在高吸收层上沉积一层介质性质的WO_x减反射层(3)，其中，氩气流量为60sccm，氧气流量为40～100sccm，气压为1.0～1.5Pa，溅射功率为75～100W。

9.根据权利要求7所述的一种双层WO_x基光热转换涂层的制备方法，其特征在于，步骤3中，在高吸收层(2)上沉积SiO₂介质层的具体方法是：

以SiO₂靶为阴极，以氩气为溅射气体，向真空室内通入纯度99.999％的氩气，开启SiO₂靶，在WO_x吸收层上沉积一层SiO₂减反射层(3)，其中，氩气流量为60sccm，气压为2.5Pa，溅射功率为130～160W。