[发明专利]石墨烯基氮掺杂的多孔碳复合材料的透明薄膜的制备方法在审
| 申请号: | 201910354610.4 | 申请日: | 2019-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN110165073A | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 林志峥 |
| 地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制备 透明薄膜 多孔碳复合材料 石墨烯基 氮掺杂 前驱体材料 复合材料制备 复合纳米材料 电极导电性 多面体结构 原位合成 含碳量 平整性 石墨烯 点位 阻抗 | ||
1.一种石墨烯基氮掺杂的多孔碳复合材料的透明薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:将石墨烯粉末加入浓度为1-10mg/ml的乙醇溶液中,得到第一溶液;
步骤二:将步骤一得到的第一溶液与聚乙烯吡咯烷酮混合均匀,得到第二溶液;
步骤三:将硝酸锌材料和2-甲基咪唑加入步骤二得到的第二溶液中,在20-30℃的温度下搅拌5-10h,得到第三溶液;
步骤四:将步骤三中搅拌后得到的第三溶液在3000-10000rpm/min的转速下离心3-10min,通过乙醇溶液进行洗涤处理后得到ZIF-8@GO复合纳米材料;
步骤五:将步骤四得到的ZIF-8@GO复合纳米材料进行煅烧操作,得到石墨烯基氮掺杂的多孔碳复合材料;
步骤六:将步骤五得到的石墨烯基氮掺杂的多孔碳复合材料加入分散溶剂中,得到石墨烯基氮掺杂的多孔碳复合材料的分散液;
步骤七:将步骤六得到的石墨烯基氮掺杂的多孔碳复合材料的分散液进行旋涂处理,得到石墨烯基氮掺杂的多孔碳复合材料的透明薄膜。
2.根据权利要求1所述的石墨烯基氮掺杂的多孔碳复合材料的透明薄膜的制备方法,其特征在于,步骤二中的聚乙烯吡咯烷酮的质量为30-70mg。
3.根据权利要求1所述的石墨烯基氮掺杂的多孔碳复合材料的透明薄膜的制备方法,其特征在于,步骤三中硝酸锌材料的质量为2-6g,2-甲基咪唑的体积为3-7ml。
4.根据权利要求1所述的石墨烯基氮掺杂的多孔碳复合材料的透明薄膜的制备方法,其特征在于,步骤五具体为:
将步骤四得到的ZIF-8@GO复合纳米材料加入管式炉中,通入氮气,在600-800℃的温度下煅烧2-5h,管式炉的升温速率为1-4℃/min,待管式炉的温度冷却到20-30℃后取出,得到石墨烯基氮掺杂的多孔碳复合材料。
5.根据权利要求1所述的石墨烯基氮掺杂的多孔碳复合材料的透明薄膜的制备方法,其特征在于,步骤七具体为:
将步骤六得到的石墨烯基氮掺杂的多孔碳的复合材料的分散液旋涂到基板上,以300-1000rpm/min的转速进行旋涂处理后进行干燥操作,得到石墨烯基氮掺杂的多孔碳复合材料的透明薄膜。
6.根据权利要求1所述的石墨烯基氮掺杂的多孔碳复合材料的透明薄膜的制备方法,还包括步骤八:
以步骤七相同的制备方法进行多次旋涂处理,得到不同厚度的石墨烯基氮掺杂的多孔碳复合材料的透明薄膜;所述石墨烯基氮掺杂的多孔碳复合材料的透明薄膜的厚度为20-200nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





