[发明专利]用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法

说明书

本公开涉及用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。一种用于EUV光掩模的薄膜包括基膜层、设置在所述基膜层上方的核心层、以及设置在所述核心层上方的一个或多个金属层。

技术领域

本公开涉及用于极紫外(EUV)光刻光掩模的薄膜及其制造方法。

背景技术

薄膜是在粘合在光掩模的一侧上的框架上延展的一种薄的透明膜以保护光掩模免受损坏、灰尘和/或湿气。在EUV光刻中，通常需要在EUV波长区域中具有高透明度、具有高机械强度和具有低热膨胀的薄膜。

发明内容

根据本公开的实施例，提供了一种用于EUV光掩模的薄膜，所述薄膜在波长为13.5nm的情况下，具有高于85％的EUV透射率和低于0.25％的EUV反射率。

根据本公开的另一实施例，提供了一种用于EUV光掩模的薄膜，包括：基膜层；设置在所述基膜层上方的核心层；以及设置在所述核心层上方的一个或多个金属层。

根据本公开的又一实施例，提供了一种用于EUV光掩模的薄膜，包括：基膜层；以及直接设置在所述基膜层上的一个或多个金属层。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开的各方面。应当注意，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚讨论，可以任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1示出了根据本公开的实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图2示出了根据本公开的实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图3示出了根据本公开的实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图4示出了根据本公开的实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图5示出了根据本公开的实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图6示出了根据本公开的实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图7示出了根据本公开的实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图8示出了根据本公开的实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图9示出了根据本公开的实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图10示出了根据本公开的实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图11示出了根据本公开的实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图12示出了根据本公开的另一实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图13示出了根据本公开的另一实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图14示出了根据本公开的另一实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图15示出了根据本公开的另一实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图16示出了根据本公开的另一实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图17示出了根据本公开的另一实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。

图18示出了根据本公开的另一实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段之一的横截面图。