[发明专利]图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于包括：

半导体衬底，具有第一表面和接收入射光的第二表面；

位于半导体衬底中的光电转换部分，响应于接收到入射光而产生与入射光的量对应的电荷并在其中累积电荷；

位于半导体衬底的第一表面上的第一传输晶体管，第一传输晶体管在被导通时传输累积在光电转换部分中的电荷；

位于半导体衬底的第一表面上的电荷存储部分，存储由第一传输器件从光电转换部分中传输的电荷；

位于半导体衬底的第一表面上的第二传输晶体管，第二传输晶体管在被导通时传输存储在电荷存储部分中的电荷；

位于半导体衬底中的遮光部分，以防止入射光穿过半导体衬底进入电荷存储部分。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，遮光部分被配置为遮挡电荷存储部分的未被光电转换部分、第一传输晶体管和第二传输晶体管遮挡的部分。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，遮光部分在第一表面的投影至少包括在第一传输晶体管与第二传输晶体管之间的部分。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的图像传感器，其特征在于，遮光部分由不透明材料制成。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，不透明材料包括窄带隙半导体材料、碳、金属和金属的化合物中的一个或多个。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，金属包括钛、钨、铜、铝、钴和镍中的一个或多个，金属的化合物包括金属的氮化物。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的图像传感器，其特征在于还包括围绕遮光部分的绝缘隔离层。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的图像传感器，其特征在于，电荷存储部分通过导电部分电连接到第一传输晶体管和第二传输晶体管。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，导电部分包括多晶硅、金属和金属的化合物中的一个或多个。

10.一种制作半导体器件的方法，其特征在于包括：

提供半导体衬底，该半导体衬底具有第一表面和接收入射光的第二表面；

在半导体衬底中形成光电转换部分，该光电转换部分响应于接收到入射光而产生与入射光的量对应的电荷并在其中累积电荷；

在半导体衬底的第一表面上形成第一传输晶体管和第二传输晶体管；

在半导体衬底中形成遮光部分；

在半导体衬底的第一表面上形成电荷存储部分；

其中，第一传输晶体管在被导通时传输累积在光电转换部分中的电荷，电荷存储部分能够存储由第一传输器件从光电转换部分中传输的电荷并且第二传输晶体管在被导通时传输存储在电荷存储部分中的电荷，并且

遮光部分用于防止入射光穿过半导体衬底进入电荷存储部分。