[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

形成于所述半导体衬底中的像素阵列，所述像素阵列包括多个像素，每个所述像素包括第一光电二极管、第二光电二极管以及第三光电二极管，其中所述第一光电二极管用以吸收一类颜色光电子，所述第二光电二极管用以吸收二类颜色光电子，所述第三光电二极管用以吸收三类颜色光电子；

形成于所述半导体衬底的底面上的第一一类颜色有机光电薄膜、第一二类颜色有机光电薄膜及第一三类颜色有机光电薄膜，其中，所述第一一类颜色有机光电薄膜至少部分与所述第一光电二极管重叠，所述第一二类颜色有机光电薄膜至少部分与所述第二光电二极管重叠，所述第一三类颜色有机光电薄膜至少部分与所述第三光电二极管重叠；

形成于所述半导体衬底的顶面上的第二一类颜色有机光电薄膜、第二二类颜色有机光电薄膜以及第二三类颜色有机光电薄膜，其中，所述第二二类颜色有机光电薄膜和/或所述第二三类颜色有机光电薄膜围绕所述第一光电二极管，所述第二一类颜色有机光电薄膜和/或所述第二三类颜色有机光电薄膜围绕所述第二光电二极管，所述第二一类颜色有机光电薄膜和/或所述第二二类颜色有机光电薄膜围绕所述第三光电二极管。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括第一介质层，所述第一介质层形成在所述半导体衬底的底面上，所述第一一类颜色有机光电薄膜、第一二类颜色有机光电薄膜及第一三类颜色有机光电薄膜位于所述第一介质层中。

3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括第二介质层，所述第二介质层形成在所述半导体衬底的顶面上，所述第二一类颜色有机光电薄膜、第二二类颜色有机光电薄膜及第二三类颜色有机光电薄膜位于所述第二介质层中。

4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括位于所述半导体衬底顶面上的一类颜色滤光片、二类颜色滤光片以及三类颜色滤光片，所述一类颜色滤光片对准所述第一光电二极管，所述二类颜色滤光片对准所述第二光电二极管，所述三类颜色滤光片对准所述第三光电二极管。

5.如权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括多个微透镜，所述微透镜与所述一类颜色滤光片、所述二类颜色滤光片或所述三类颜色滤光片一一对应设置。

6.如权利要求1～5中任一项所述的图像传感器，其特征在于，每个所述像素包括两个第一光电二极管、一个第二光电二极管以及一个第三光电二极管，两个所述第一光电二极管呈对角形式分布，所述第二光电二极管和所述第三光电二极管呈对角形式分布。

7.如权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述第二一类颜色有机光电薄膜分别围绕所述第二光电二极管和所述第三光电二极管，所述第二二类颜色有机光电薄膜和所述第二三类颜色有机光电薄膜围绕所述第一光电二极管，且，所述第二二类颜色有机光电薄膜较所述第三光电二极管更靠近所述第二光电二极管，所述第二三类颜色有机光电薄膜较所述第二电光二极管更靠近所述第三光电二极管。

8.如权利要求1～7中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述一类颜色为绿色，所述二类颜色为红色，所述三类颜色为蓝色。