[发明专利]半导体封装方法在审
申请号: | 201910351689.5 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN111863635A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 陈莉;霍炎 | 申请(专利权)人: | 无锡华润安盛科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 214028 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 方法 | ||
本申请提供一种半导体封装方法,其包括:在基板上形成金属件,所述金属件位于所述基板的正上方;对所述金属件进行塑封形成载板;剥离所述基板,露出所述金属件的正面及所述载板的第一表面。本申请通过在基板上形成金属件,并对所述金属件进行塑封形成载板,即通过塑封的方式形成载板,避免了在生成金属件的打孔等工艺中需要预留的载板厚度,有效的地减薄了载板的整体厚度,而且增强了载板的强度,避免了芯片在受力时易碎裂的情况,从而保证后期封装的成功率及产品的良率。
技术领域
本申请涉及一种半导体技术领域,尤其涉及一种半导体封装方法。
背景技术
在半导体封装技术中,通常半导体封装中的载板都是以金属为基材,在基材上进行打孔、腐蚀、电镀、溅射等工艺以生成金属层,通过金属层满足芯片支撑和引脚引出的需求。
但是,由于需要在载板的表面进行打孔等工艺,为了预留打孔的深度,载板的厚度较厚,另外在后期成为单个封装后,芯片背面非常容易发生受力,而造成芯片碎裂等问题。
发明内容
本申请的提供一种半导体封装方法,其包括:
在基板上形成金属件,所述金属件位于所述基板的正上方;
对所述金属件进行塑封形成载板;
剥离所述基板,露出所述金属件的正面及所述载板的第一表面。
可选的,所述在基板上形成金属件包括:
在所述基板上形成第一金属件;
在所述第一金属件之上形成第二金属件。
可选的,所述第一金属件包括第一金属层、第二金属层和第三金属层,所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层依次层叠形成所述第一金属件。
可选的,在所述基板上形成第一金属件,在所述第一金属件之上形成第二金属件,包括:
在所述基板上压设第一感光膜,并在第一感光膜形成多个第一开口,在多个所述第一开口中形成所述第一金属件;
在所述第一感光膜及所述第一金属件上压设第二感光膜,并在所述第二感光膜形成多个第二开口,在多个所述第二开口中形成所述第二金属件,所述第二金属件至少部分位于所述第一金属件的上方;
将所述第一金属件的两侧的所述第一感光膜、以及所述第二金属件的两侧的所述第二感光膜清洗去除。
可选的,通过电镀或者溅射的方式在多个所述第一开口中形成所述第一金属件;所述第一金属件呈平板状。
可选的,通过植球或者刷金属膏之后回流焊的方式在多个所述第二开口中形成所述第二金属件;所述第二金属件呈球形。
可选的,所述在基板上形成金属件之前,所述半导体封装方法还包括:
在所述基板上设置粘接层,在所述粘接层上形成所述金属件。
可选的,在所述剥离所述基板之后,所述半导体封装方法包括:
在所述载板的第一表面上贴覆芯片,并通过金属连接件连接所述芯片及所述金属件的正面。
可选的,在所述通过金属连接件连接所述芯片及所述金属件的正面之后,所述半导体封装方法还包括:
在所述载板上对所述芯片及所述金属连接件进行塑封形成包封层。
可选的,在所述通过金属连接件连接所述芯片及所述金属件的正面之后,所述半导体封装方法还包括:对所述载板进行减薄,以使所述载板中相对于所述第一表面设置的第二表面上露出所述金属件远离所述芯片的一端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润安盛科技有限公司,未经无锡华润安盛科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910351689.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造