[发明专利]一种预清洗方法在审
| 申请号： | 201910349953.1 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111863591A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 师帅涛;王文章 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 方法 | ||
1.一种预清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：向反应腔室内通入流量为第一流量值的工艺气体，并使所述反应腔室内的压力达到第一压力值；
S2：开启上射频功率源和下射频功率源，并设置所述上射频功率源和下射频功率源的输出功率分别为第一上射频功率和第一下射频功率，以使所述工艺气体起辉；
S3：将所述工艺气体的流量减小为第二流量值，并使所述反应腔室内的压力减小为第二压力值；
S4：设置所述上射频功率源和下射频功率源的输出功率分别为第二上射频功率和第二下射频功率，以对被加工工件进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的预清洗方法，其特征在于，所述第一压力值的范围为6～8mTorr。
3.根据权利要求1所述的预清洗方法，其特征在于，所述第一流量值的范围为100～200sccm。
4.根据权利要求1所述的预清洗方法，其特征在于，所述第二压力值的范围为0.6～0.8mTorr。
5.根据权利要求1所述的预清洗方法，其特征在于，所述第二流量值的范围为2～10sccm。
6.根据权利要求1所述的预清洗方法，其特征在于，所述第一下射频功率小于所述第二下射频功率。
7.根据权利要求6所述的预清洗方法，其特征在于，所述第一下射频功率的范围为20～70W。
8.根据权利要求6所述的预清洗方法，其特征在于，所述第二下射频功率的范围为100～600W。
9.根据权利要求1所述的预清洗方法，其特征在于，还包括以下步骤：
S5：设置所述下射频功率源的输出功率为第三下射频功率，其中，所述第三下射频功率小于所述第二下射频功率。
10.根据权利要求9所述的预清洗方法，其特征在于，所述第三下射频功率的范围为1～10W。
11.根据权利要求9所述的预清洗方法，其特征在于，还包括以下步骤：
S6：关闭所述上射频功率源和所述下射频功率源；并向所述反应腔室内通入流量为第三流量值的冷却气体，以对所述被加工工件进行冷却。
12.根据权利要求11所述的预清洗方法，其特征在于，所述第三流量值的范围为200～500sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
