[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基底；

多个金属柱，设置在该基底的上方；

多个金属突起，从该金属柱的一上表面延伸；

一盖层，设置在该金属突起的上方；以及

一钝化层，设置在该金属突起和该盖层的一侧壁的上方，

其中该钝化层的一外围与该金属柱的该侧壁连续。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属突起的该侧壁与该金属柱的该侧壁不连续。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该金属突起的一宽度实质上小于该金属柱的一宽度。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属柱的一侧壁和一底壁之间的一夹角在80度和90度的范围内。

5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一抗反射涂层，夹在该金属突起和该盖层之间。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该金属突起的一高度实质上大于该抗反射涂层的一高度的两倍。

7.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：

一绝缘层，该绝缘层将该金属柱与该基底分开；以及

一阻挡层，夹在该绝缘层和该金属柱之间。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该钝化层包括至少一个第一层和至少一个第二层，该第一层和该第二层交错布置。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属柱和金属突起是一体形成。

10.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一基底；

沉积一金属层和一盖层在该基底的上方；

图案化该盖层以形成多个沟槽及一剩余金属层，其中该多个沟槽穿过该盖层和该金属层，该剩余金属层包括一基部和连接到该基部的多个金属突起；

沉积一钝化层在该盖层的一侧壁和该金属金属突起的上方；以及

通过该沟槽蚀刻该基部，以在相应的该金属突起的下方形成多个金属柱。

11.如权利要求10所述的制造方法，其中该钝化层的沉积包括：

在该盖层的一顶表面、该盖层的该侧壁和该突起及该基部的一上表面上沉积该钝化层；以及

执行一蚀刻工艺以去除该顶表面和该上表面上方的该钝化层。

12.如权利要求11所述的制造方法，其中该基部的该上表面与该金属突起的该侧壁之间的一夹角实质上等于90度。

13.如权利要求10所述的制造方法，其中该钝化层通过一原子层沉积工艺形成。

14.如权利要求10所述的制造方法，其中该钝化层具有均匀的一厚度。

15.如权利要求10所述的制造方法，其中将该盖层图案化以形成穿过该盖层和该金属层的多个沟槽包括：

在盖层上方涂覆一光刻胶层；

图案化该光刻胶层以形成具有多个开口的光刻胶图案；以及

去除通过该开口暴露的该盖层的一部分。

16.如权利要求10所述的制造方法，还包括：

在基底上形成一绝缘层；以及

在沉积该金属层之前在该绝缘层的上方沉积一阻挡层。

17.如权利要求10所述的制造方法，还包括在沉积该盖层之前在该金属层的上方沉积一抗反射涂层。

18.如权利要求10所述的制造方法，其中该基部的蚀刻使用Cl₂和BCl₃作为蚀刻气体。