[发明专利]发光结构、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种发光结构，包括：

第一发光元件，包括第一发光层、第一电子传输层和第一阴极，

其中，所述第一阴极与所述第一电子传输层接触设置，所述第一电子传输层的导带底能级大于所述第一阴极的费米能级，所述第一电子传输层的导带底能级与所述第一阴极的费米能级之差的范围在0.3-0.6eV。

2.根据权利要求1所述的发光结构，其中，所述第一发光层的导带底能级小于所述第一电子传输层的导带底能级，所述第一电子传输层包括ZnMgO纳米粒子，所述第一电子传输层中Mg的摩尔百分比为10％-20％。

3.根据权利要求2所述的发光结构，其中，所述第一电子传输层中Mg的摩尔百分比为13％-16％。

4.根据权利要求2所述的发光结构，其中，所述第一发光层的材料包括红色无镉量子点材料。

5.根据权利要求4所述的发光结构，其中，所述第一发光层的材料包括磷化铟。

6.根据权利要求1所述的发光结构，还包括：

第二发光元件，包括第二发光层、第二电子传输层和第二阴极，

其中，所述第二阴极与所述第二电子传输层接触设置，所述第一发光层的导带底能级小于所述第二发光层的导带底能级，所述第一电子传输层的导带底能级大于所述第二电子传输层的导带底能级。

7.根据权利要求6所述的发光结构，其中，电子从所述第一阴极到所述第一电子传输层的势垒大于电子从所述第二阴极到所述第二电子传输层的势垒。

8.根据权利要求6所述的发光结构，其中，所述第一发光层的导带底能级小于所述第一电子传输层的导带底能级，所述第二发光层的导带底能级大于所述第二电子传输层的导带底能级，所述第二阴极的费米能级与所述第二电子传输层的导带底能级大致相等。

9.根据权利要求6-8中任一项所述的发光结构，其中，所述第一电子传输层包括ZnMgO纳米粒子，所述第二电子传输层包括ZnO纳米粒子或ZnMgO纳米粒子，所述第一电子传输层中Mg的摩尔百分比大于所述第二电子传输层中Mg的摩尔百分比。

10.根据权利要求9所述的发光结构，其中，所述第一电子传输层中Mg的摩尔百分比为10％-20％，所述第二电子传输层中Mg的摩尔百分比小于5％。

11.根据权利要求6-8中任一项所述的发光结构，其中，所述第一发光层和所述第二发光层至少之一为量子点发光层，所述第一阴极和第二阴极为同一导电层。

12.根据权利要求6-8中任一项所述的发光结构，还包括：

第三发光元件，包括第三发光层、第三电子传输层和第三阴极，

其中，所述第三阴极与所述第三电子传输层接触设置，所述第三发光层的导带底能级大于所述第一发光层的导带底能级，小于所述第二发光层的导带底能级，所述第三电子传输层的导带底能级小于所述第一电子传输层的导带底能级，所述第三电子传输层的导带底能级大于所述第二电子传输层的导带底能级。

13.根据权利要求12所述的发光结构，其中，电子从所述第三阴极到所述第三电子传输层的势垒大于电子从所述第二阴极到所述第二电子传输层的势垒，且小于电子从所述第一阴极到所述第一电子传输层的势垒。

14.根据权利要求12所述的发光结构，其中，所述第一电子传输层包括ZnMgO纳米粒子，所述第二电子传输层包括ZnO纳米粒子或ZnMgO纳米粒子，所述第三电子传输层包括ZnMgO纳米粒子，所述第三电子传输层中Mg的摩尔百分比小于所述第一电子传输层中Mg的摩尔百分比，且大于所述第二电子传输层中Mg的摩尔百分比。