[发明专利]一种改善光阻显影和变形的方法在审
| 申请号： | 201910343802.5 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110133961A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 黄光伟;李立中;林伟铭 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/80 | 分类号： | G03F1/80;G03F7/42;H01L21/027 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;林祥翔 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 开口 待蚀刻层 光阻层 光阻 显影 蚀刻 半导体器件 变形的 覆盖 电子束 半导体器件基片 金属沉积 金属结构 目标线 湿蚀刻 沉积 去除 制程 对准 变形 金属 失败 | ||
1.一种改善光阻显影和变形的方法，其特征在于，包括如下步骤：
在半导体器件的基片上覆盖待蚀刻层；
在待蚀刻层上覆盖第一光阻层，利用电子束显出目标线宽的第一开口；
通过第一开口蚀刻待蚀刻层，在待蚀刻层上形成底部为半导体器件基片的第二开口，去除第一光阻层；
在待蚀刻层上覆盖第二光阻层；
在第二光阻层进行对准、显影；
对第二光阻层进行湿蚀刻，蚀刻后在第二开口上方形成第三开口；
进行金属沉积，金属通过第三开口和第一开口沉积在半导体器件的基片上形成金属结构。
2.根据权利要求1所述的一种改善光阻显影和变形的方法，其特征在于：所述第一光阻层为e-beam光阻。
3.根据权利要求1所述的一种改善光阻显影和变形的方法，其特征在于：第二光阻层为e-beam光阻或i-line光阻。
4.根据权利要求1所述的一种改善光阻显影和变形的方法，其特征在于：所述金属结构为Y栅结构。
5.根据权利要求1所述的一种改善光阻显影和变形的方法，其特征在于：第一开口的目标线宽为0.15um以下。
6.根据权利要求1所述的一种改善光阻显影和变形的方法，其特征在于：所述待蚀刻层厚度为
7.根据权利要求1所述的一种改善光阻显影和变形的方法，其特征在于：所述半导体器件的基片为源漏极金属的晶片。
8.根据权利要求1所述的一种改善光阻显影和变形的方法，其特征在于：待蚀刻层为氮化物层。
9.根据权利要求8所述的一种改善光阻显影和变形的方法，其特征在于：氮化物层为氮化硅层。
10.根据权利要求1所述的一种改善光阻显影和变形的方法，其特征在于：待蚀刻层为二氧化硅层。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
