[发明专利]半导体器件和制造

权利要求书

1.一种用于制造高电压半导体器件（200）的方法，所述方法包括：

将半导体衬底（210）暴露于等离子体以在衬底（210）上形成保护物质层（220），

其中所述等离子体包括惰性类别，并且

其中所述等离子体包括由如下组成的组中的一个或多个：氢类别、碳类别、甲烷、次乙基、乙烯。

2.如权利要求1所述的方法，

其中所述惰性类别是从由氦类别和氩类别组成的一组类别中的一个或多个选择的。

3.如权利要求1或者权利要求2所述的方法，所述方法包括：

将所述半导体衬底（210）加热到从300℃至500℃的温度。

4.如权利要求1至权利要求3中的任何一个所述的方法，

提供交变电场，并且

将气体暴露于所述交变电场，

其中电场以射频频率交替。

5.如权利要求1至权利要求4中的任何一个所述的方法，

其中所述等离子体被保持在小于或者等于大气压力的压力下。

6.如权利要求1至权利要求5中的任何一个所述的方法，

所述方法进一步包括：

将氧化物（211）从所述半导体衬底（210）移除。

7.如权利要求6所述的方法，

将所述半导体衬底（210）放置在室中；并且

然后在执行将所述半导体衬底（210）暴露于所述等离子体之前，执行将所述氧化物（211）从所述半导体衬底（210）移除。

8.一种半导体器件（200），包括：

半导体衬底（210）；以及

在所述半导体衬底（210）上的保护物质层（220），

其中所述保护物质层（220）包括由如下组成的组中的一个或多个：晶体碳化硅、非晶碳化硅。

9.如权利要求8所述的半导体器件（200），进一步包括：

在所述保护物质层（220）上的器件结构层（230）。

10.如权利要求9所述的半导体器件（200），

其中所述保护物质层（220）被原位沉积在所述半导体衬底（210）上。

11.如权利要求8至权利要求10中的任何一个所述的半导体器件（200），

其中所述保护物质层（220）具有从2至3g/cm^3（hex.）的密度。

12.如权利要求11所述的半导体器件（200），

其中所述保护物质层（200）大多包括碳化硅并且具有至少2.2g/cm^3（hex.）的密度。

13.如权利要求8至权利要求12中的任何一个所述的半导体器件（200），

其中所述保护物质层（220）具有重量上小于百分之一的聚合物含量。

14.如权利要求8至权利要求13中的任何一个所述的半导体器件（200），

其中所述保护物质层（220）具有多于1千伏/微米的击穿电压。

15.如权利要求8至权利要求14中的任何一个所述的半导体器件（200），

其中所述保护物质层（220）在+/-0.5GPa的量程范围中具有与按照表达式y=-15.375x+10.825的直线相关的硬度y[GPa]相对于压缩应力x[GPa]的特性。

16.如权利要求8至权利要求15中的任何一个所述的半导体器件（200），

其中所述保护物质层（220）的在从3350nm至2350nm的波长范围中的吸收谱本质上是波长的线性函数。