[发明专利]化学机械平坦化系统和方法以及研磨晶圆的方法有效
| 申请号： | 201910342905.X | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110653717B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 黄君席 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/015 | 分类号： | B24B37/015;B24B37/04;B24B37/10;B24B37/30;B24B41/047;B24B47/12;B24B55/00;B24B57/02;B24B37/34 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械 平坦 系统 方法 以及 研磨 | ||
1.一种化学机械平坦化(CMP)系统，其特征在于，包含：
一研磨工具，具有一或多个研磨机，其中所述一或多个研磨机中的每个研磨机包含：
一研磨垫；
一研磨头，配置为将一晶圆保持抵靠该研磨垫，其中该研磨头包含多个气室；和
一浆料分配器，配置为分配在该研磨垫上的浆料；以及
一或多个温度模块，耦合至该研磨头并且配置为向所述多个气室分别地供应控温的空气，其中该控温的空气包含加热的加压空气和冷却的加压空气，该加热的加压空气的温度范围介在24℃和130℃之间，该冷却的加压空气的温度范围介在-50℃和24℃之间。
2.根据权利要求1所述的化学机械平坦化系统，其特征在于，其中所述一或多个温度模块中的每个温度模块包含一涡流管、一空气加热器、或一空气冷却器。
3.根据权利要求1所述的化学机械平坦化系统，其特征在于，其中所述一或多个温度模块配置为向一第一气室供应该控温的空气，其温度不同于向一第二气室所供应的该控温的空气。
4.根据权利要求1所述的化学机械平坦化系统，其特征在于，其中所述一或多个温度模块配置为接收温度24℃的空气。
5.根据权利要求1所述的化学机械平坦化系统，其特征在于，其中该研磨头更包含一层膜，其插入在介于所述多个气室和该晶圆之间，其中所述多个气室配置为在该晶圆上施加一下压力。
6.根据权利要求1所述的化学机械平坦化系统，其特征在于，其中所述一或多个温度模块配置为从一空气供应单元接收空气，并改变所接收的该空气的温度。
7.一种化学机械平坦化方法，其特征在于，包含：
将晶圆装载至一研磨头，其中该研磨头包含多个气室；
供应加压空气至一温度模块，该温度模块耦合到该研磨头，其中该温度模块配置为分别地调整该加压空气的温度，其中该加压空气包含加热的加压空气和冷却的加压空气，其中该加热的加压空气的温度范围介在24℃和130℃之间，该冷却的加压空气的温度范围介在-50℃和24℃之间；
向所述多个气室分别地供应来自该温度模块的该加热的加压空气和该冷却的加压空气；以及
经由使该晶圆相对于一研磨垫旋转来研磨该晶圆。
8.根据权利要求7所述的化学机械平坦化方法，其特征在于，其中研磨该晶圆包含在研磨期间，调整所述多个气室中的该加压空气的温度。
9.根据权利要求7所述的化学机械平坦化方法，其特征在于，其中研磨该晶圆包含增加该晶圆的一研磨速率，以回应增加所述多个气室中该加压空气的该温度。
10.根据权利要求7所述的化学机械平坦化方法，其特征在于，其中研磨该晶圆包含减少该晶圆的一研磨速率，以回应减少所述多个气室中该加压空气的该温度。
11.根据权利要求7所述的化学机械平坦化方法，其特征在于，其中研磨该晶圆包含在研磨期间，调整在所述多个气室中的该加压空气的该温度和一压力。
12.根据权利要求7所述的化学机械平坦化方法，其特征在于，其中供应该加压空气包含在24℃温度下供应该加压空气至该温度模块。
13.根据权利要求7所述的化学机械平坦化方法，其特征在于，其中由该温度模块调整的该加压空气的温度来控制在研磨期间该晶圆的一研磨速率。
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