[发明专利]光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器

权利要求书

1.一种光电转换元件，其包括：

第一电极；

有机光电转换层，其布置在所述第一电极的上层中，所述有机光电转换层包括一种或多种有机半导体材料；

缓冲层，其布置在所述有机光电转换层的上层中，所述缓冲层由非晶无机材料构成并且具有7.7至8.0eV的能级，且所述缓冲层与所述有机光电转换层之间的HOMO能级差为2eV以上；以及

第二电极，其布置在所述缓冲层的上层中。

2.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述缓冲层由多种金属氧化物形成。

3.如权利要求2所述的光电转换元件，其中，所述金属氧化物中的至少一者是金属氧化物半导体。

4.如权利要求2所述的光电转换元件，其中，所述缓冲层由从如下群组中选择的多种金属氧化物形成，所述群组由锌氧化物、硅氧化物、锡氧化物、铌氧化物、钛氧化物、钼氧化物、铝氧化物、基于In-Ga-Zn的氧化物(IGZO)、镁氧化物和铪氧化物构成。

5.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述缓冲层由各自具有不同能级的多个层构成。

6.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述缓冲层具有3至300nm的厚度。

7.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述缓冲层具有100kΩ/□以上的表面电阻。

8.一种成像装置，其包括如权利要求1所述的光电转换元件。

9.一种光学传感器，其包括如权利要求1所述的光电转换元件。

10.一种制造光电转换元件的方法，所述方法包括：

形成第一电极的步骤；

在所述第一电极的上层中形成有机光电转换层的步骤，所述有机光电转换层包括一种或多种有机半导体材料；

在所述有机光电转换层的上层中形成缓冲层的步骤，所述缓冲层由非晶无机材料构成并且具有7.7至8.0eV的能级，且所述缓冲层与所述有机光电转换层之间的HOMO能级差为2eV以上；以及

在所述缓冲层的上层中形成第二电极的步骤。