[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法有效
| 申请号: | 201910337383.4 | 申请日: | 2019-04-25 |
| 公开(公告)号: | CN110164924B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
| 发明(设计)人: | 张国苹;彭利满;张倩倩;刘祺 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及显示技术领域,公开一种有机电致发光器件及其制备方法,包括衬底基板、在衬底基板上依次设置的像素电路层和平坦层、形成于所述平坦层背离所述衬底基板一侧的用于界定各像素单元区域的像素界定层、与所述像素单元一一对应的阳极;其中:所述平坦层上设置有多个开口背离所述衬底基板的开口,每相邻的两个开口之间形成一凸台,且每一个所述像素单元具有与所述开口正对的区域;每一个所述像素单元中,所述像素单元内的阳极形成于所述凸台上、且与所述平坦层的开口正对的部位具有镂空结构。平坦层具有开口能够接纳阳极产生的阳极缺失,阳极具有的镂空结构避免高压冲洗产生阳极变形从而最终导致的暗点的发生,提升了良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体面板AMOLED的发光原理跟发光二极管LED极为相似,都是在材料的阴极和阳极加入电压后,两极之间产生可以移动的电子和空穴。附图1为现有技术中的一种有源矩阵有机发光二极体面板AMOLED的结构示意图,自下向上的方向依次包括:衬底基板1、像素电路层2、平坦层3、像素界定层4和阳极5;以及在像素界定层4上的隔离物层6。有源矩阵有机发光二极体面板AMOLED在制造的过程中,需要用到高压微射流清洗HPMJ(HIGH PRESSURE MICRO JET)技术去除玻璃基板上的颗粒。但是在清洗的过程中,往往会由于冲洗的压力过大直接将阳极5吹起直到阳极弯曲变形,严重的阳极翘起还会顶破与阳极接触的像素界定层4,从而造成使阳极与阴极短接,形成暗点。HPMJ技术可能造成的不良率达到近50%,严重影响了良率的提升,减慢了量产的进度。
发明内容
本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法,用以降低暗点不良的发生率,提升良率,加快量产进度。
一种有机电致发光器件,包括衬底基板、在衬底基板上依次设置的像素电路层和平坦层、形成于所述平坦层背离所述衬底基板一侧的用于界定各像素单元区域的像素界定层、与所述像素单元一一对应的阳极;其中:所述平坦层上设置有多个开口背离所述衬底基板的开口,每相邻的两个开口之间形成一凸台,且每一个所述像素单元具有与所述开口正对的区域;所述像素界定层在所述衬底基板上的正投影位于所述凸台在所述衬底基板上的正投影内;每一个所述像素单元中,所述像素单元内的阳极形成于所述凸台上、且与所述平坦层的开口正对的部位具有镂空结构,且所述阳极在衬底基板的正投影位于所述凸台在所述衬底基板的正投影内。
上述有机电致发光器件中,由于平坦层上设置有多个开口、且每相邻的两个开口之间形成一凸台,每一个像素单元内的阳极形成于所述凸台上、且与所述平坦层的开口正对的部位具有镂空结构,且所述阳极在衬底基板的正投影位于所述凸台在所述衬底基板的正投影内,当采用HPMJ技术对有机电致发光器件进行高压冲洗时,平坦层具有开口能够接纳阳极产生的阳极缺失,阳极具有的镂空结构避免高压冲洗产生阳极变形从而最终导致的暗点的发生,提升了良率。
可选地,所述像素单元呈阵列分布,包括多个像素单元列和多个像素单元行,所述平坦层设有的开口与所述像素单元列一一对应,每一对相互对应的像素单元列和开口中,所述开口沿所述像素单元的列方向延伸,且所述像素单元列中的各像素单元中均具有与所述开口正对的区域。
上述上述本申请的有机电致发光器件中,平坦层的开口与像素单元列一一对应,每一列像素对应设置一个开口;开口在工艺上便于实现,操作简单方便。
可选地,所述像素单元呈阵列分布,包括多个像素单元列和多个像素单元行,所述平坦层设有的开口与所述像素单元行一一对应,每一对相互对应的像素单元行和开口中,所述开口沿所述像素单元的行方向延伸,所述像素单元行中的各像素单元中均具有与所述开口正对的区域。
上述本申请的有机电致发光器件中,平坦层的开口与像素单元行一一对应,每一行像素对应设置一个开口;开口在工艺上便于实现,操作简单方便。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910337383.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:OLED显示面板及其制备方法
- 下一篇:像素排布结构、显示面板及电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





