[发明专利]一种有机发光器件有效
| 申请号: | 201910334533.6 | 申请日: | 2019-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN110061036B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
| 发明(设计)人: | 李育豪;朱映光;谢静;张国辉;胡永岚 | 申请(专利权)人: | 固安翌光科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 杨玉廷 |
| 地址: | 065500 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机 发光 器件 | ||
本申请公开了一种有机发光器件,包括:基板;位于基板一侧的导电层;第一电极,第一电极由若干画素组成,画素之间设有绝缘包边;与第一电极相对设置的第二电极;设置在第一电极与第二电极之间的至少一个有机材料层;设置在导电层与第一电极之间的至少两个绝缘层,绝缘层上开设有通孔;设置在绝缘层之间的防短路结构层,防短路结构层包括若干电传导特性相同的回路保护装置;回路保护装置穿过通孔,将第一电极的画素与导电层电连接。本申请的技术方案实现了超高的防短路电阻,提高了有机发光器件发光区的开口率,整体提升了有机发光器件的寿命和性能。
技术领域
本公开一般涉及有机光电技术领域,具体涉及一种有机发光器件。
背景技术
有机发光现象是指利用有机材料将电能转换为光能的现象。利用这种原理制成的器件称之为有机发光器件,如OLED、QLED和PLED,如OLED的发光原理为,在阴极与阳极之间放置有机材料,当在阳极与阴极之间施加电压时,阳极将空穴注入到有机材料中,并且阴极将电子注入到有机材料层中。注入到有机材料层中的空穴和电子结合产生激子,当激子迁移至基态时发光。
有机发光器件制造过程中不可避免地存在灰尘颗粒、毛刺、针孔、裂纹等缺陷点,而OLED的阳极与阴极之间的距离通常很小(约数十到数百纳米)。结果,在这种状态下,阳极与阴极可能会直接接触造成缺陷(称为短路点),或者阳极与阴极之间的有机层会变得比其他位置薄。当OLED器件工作时,电流更趋于从这种缺陷点处而不是从其他位置通过。使得热量在这种缺陷点处累积。导致损害整个OLED器件的品质和可靠性。
在其他条件相同的情况下,OLED屏体的发光面积越大,出现短路点的可能性也越大。通过增大有机层的厚度有可能减少短路点,但这要求OLED器件采用更高的驱动电压从而影响器件效率,而且并不能完全消除短路点。通过加入短路防护部可能解决短路点问题,在申请号为201380060179.3、20158001430.1、201580025083.2的专利中公开了利用结构或材料制作防短路部可有效增加器件的可靠性的技术方案。
上述专利有效提升面固态照明器件的可靠性,增加平面固态照明如OLED、QLED、PLED等平面发光技术的可靠性,帮助上述照明技术加速进入各类产品应用阶段,但该技术存在两个明显缺点是:(1)有效发光开口率低,(2)辅助电极形成的金属网格影响OLED屏体的外观。
上述技术中的产品在发光区域内存在至少三个无法发光的位置(i)金属网格区域;(ii)防短路电阻区;(iii)发光层四边;这三个区域均有绝缘材料进行覆盖,目的在于避免上述结构与第二电极发生短路现象,因此实际发光区域与整体发光区域(含无法发光位置)的比值定义为有效开口率,此开口率因为工艺技术与发光画素大小的限制,一般落在60-85%左右,随着防短路电阻区有可能需要占据更大的面积进行防短路设计,有效开口率会被限制地更低。
金属网格的线宽在加工工艺、阻抗与成本的限制下,5-10um为比较合理范围,理论上人眼无法清楚辨识该线宽,但因为平面光源使用的金属电极具有镜面的金属光泽,因此金属网格与金属镜面的光学干涉会清楚显现出所设计的金属网格,失去金属镜面的整体感。
有效开口率的下降会造成屏体寿命下降与器件电压上升;有效发光面积变小即需要更高发光输出达到特定亮度目标,这会造成屏体寿命下降;单位面积的光出提高造成相同总电流对应的电压上升,均对屏体操作有不良影响。
因此在防短路技术为必要技术的前提之下,改善金属网格造成的外观与最小化发光区域内无法发光的位置(提高开口率)为发展目标。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种画素化高稳定且无网状金属电极的有机发光器件。
第一方面本申请提供一种有机发光器件,包括:
基板;
位于所述基板一侧的导电层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





