[发明专利]芯片、目标基板、芯片转移方法及显示装置

说明书

一种芯片、目标基板、芯片转移方法及显示装置，属于芯片转移领域。转移方法包括：将目标基板设置在密闭腔室内；向第一芯片键合结构和第一基板键合结构施加不同极性的电荷，向密闭腔室内注入绝缘流体并控制第一基板键合结构的电位，使第一芯片键合结构进入第一对位孔并位于第一基板卡接部与第一基板键合结构之间；向第二芯片键合结构和第二基板键合结构施加不同极性的电荷，改变绝缘流体的流动方向并控制第二基板键合结构的电位，使第二芯片键合结构进入第二对位孔并位于第二基板卡接部与第二基板键合结构之间；向芯片施加压力使芯片键合结构与基板键合结构键合。本申请可以提高芯片转移效率。

技术领域

本申请涉及芯片转移领域，特别涉及一种芯片、目标基板、芯片转移方法及显示装置。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode；Micro LED/μLED)芯片是一种新型的LED芯片，具有亮度高、发光效率高以及功耗低等优点，在显示行业具有广泛的应用前景。Micro LED芯片通常需要在蓝宝石类基板(以下称为源基板)上形成，使用时需要将Micro LED芯片从源基板转移至目标基板。目前，主要通过微转印(Micro TransferPrinting；μTP)技术转移Micro LED芯片。但是，在μTP技术中，弹性印模每次拾取的MicroLED芯片的数量较少，因此μTP技术的转移效率较低。

发明内容

本申请提供一种芯片、目标基板、芯片转移方法及显示装置，该芯片转移方法包括：将目标基板设置在密闭腔室内；向芯片的第一芯片键合结构和目标基板的第一基板键合结构施加不同极性的电荷，向密闭腔室内注入按照第一方向流动的绝缘流体并控制第一基板键合结构的电位，使第一芯片键合结构远离芯片主体的一端进入第一对位孔并穿过第一基板卡接部位于第一基板卡接部与第一基板键合结构之间；向芯片的第二芯片键合结构和目标基板的第二基板键合结构施加不同极性的电荷，向密闭腔室内注入按照第二方向流动的绝缘流体并控制第二基板键合结构的电位，使第二芯片键合结构远离芯片主体的一端进入第二对位孔并穿过第二基板卡接部位于第二基板卡接部与第二基板键合结构之间；向芯片施加压力，使第一芯片键合结构与第一基板键合结构键合，第二芯片键合结构与第二基板键合结构键合。由于可以采用绝缘流体实现芯片与目标基板的对位，能够实现芯片的批量转移，因此芯片的转移效率较高。

附图说明

图1是本申请实施例提供的一种芯片的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种目标基板的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的另一种目标基板的结构示意图；

图4至图13是本申请实施例提供的一种芯片转移过程的示意图。

具体实施方式

请参考图1，其示了本申请实施例提供的一种芯片01的结构示意图，该芯片01包括芯片主体011以及设置在芯片主体011上的第一芯片键合结构012和第二芯片键合结构013，第一芯片键合结构012和第二芯片键合结构013位于芯片主体011上的同一侧，且第一芯片键合结构012和第二芯片键合结构013同层设置，第一芯片键合结构012的侧面具有第一芯片卡接部014，第二芯片键合结构013的侧面具有第二芯片卡接部015。第一芯片键合结构012被配置为通过目标基板(图1中未示出)中的第一对位孔(图1中未示出)与目标基板的第一基板键合结构(图1中未示出)键合，第二芯片键合结构013被配置为通过目标基板中的第二对位孔(图1中未示出)与目标基板的第二基板键合结构(图1中未示出)键合。其中，第一对位孔的侧壁具有第一基板卡接部(图1中未示出)，第二对位孔的侧壁具有第二基板卡接部(图1中未示出)，第一芯片卡接部014被配置为在第一芯片键合结构012和第一基板键合结构对位的过程中与第一基板卡接部卡接，第二芯片卡接部015被配置为在第二芯片键合结构013和第二基板键合结构对位的过程中与第二基板卡接部卡接。