[发明专利]掩膜版、薄膜晶体管和阵列基板及制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层和绝缘保护层，所述有源层的材料为透明半导体材料；

在所述绝缘保护层上形成光阻，采用掩膜版，对所述光阻进行曝光并显影，形成光阻图案，所述掩膜版包括：第一部分透光区，对应所述薄膜晶体管的栅极；第二部分透光区，位于所述第一部分透光区的相对的两侧，所述第二部分透光区的透光率小于或等于所述第一部分透光区的透光率；不透光区，位于所述第二部分透光区的远离所述第一部分透光区的两侧，其中，一所述不透光区和一所述第二部分透光区对应所述薄膜晶体管的源极或漏极；全透光区，位于所述第一部分透光区、第二部分透光区和所述不透光区的外围；所述光阻图案包括：对应所述掩膜版的全透光区的光阻全保留区域，对应所述掩膜版的第一部分透光区的第一光阻部分保留区域，对应所述掩膜版的第二部分透光区的第二光阻部分保留区域，和对应所述掩膜版的不透光区的光阻去除区域，其中，所述第二光阻部分保留区域的厚度小于所述第一光阻部分保留区域的厚度；

对所述光阻图案和所述绝缘保护层进行刻蚀，使所述光阻全保留区域和第一光阻部分保留区域的厚度被减薄，所述第二光阻部分保留区域的光阻完全被消除，所述绝缘保护层的未被光阻覆盖的部分形成开孔；

形成源漏金属层，所述源漏金属层覆盖刻蚀后的剩余光阻和所述开孔；

剥离所述剩余光阻及位于所述剩余光阻上的源漏金属层，形成源极和漏极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极的材料为Cu、Al或Ag。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述光阻图案和所述绝缘保护层进行刻蚀的步骤包括：

采用干刻工艺，对所述光阻图案和所述绝缘保护层进行同步刻蚀。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述光阻图案和所述绝缘保护层进行刻蚀的步骤包括：

在对所述光阻图案和所述绝缘保护层进行刻蚀的过程中，对所述开孔裸露的有源层进行导体化处理，形成源极接触区和漏极接触区。

5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括采用如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制作方法制作薄膜晶体管的步骤。

6.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制作方法制作而成，所述薄膜晶体管包括：

衬底基板；

栅极；

栅极绝缘层；

有源层，所述有源层的材料为透明半导体材料；

绝缘保护层，所述绝缘保护层上开设有开孔；

源极和漏极，所述源极和漏极通过所述开孔与所述有源层接触，所述源极和漏极在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影不重叠，所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影与所述开孔在所述衬底基板上的正投影重叠。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括：有源区和位于所述有源区的相对的两侧的源极接触区和漏极接触区，所述有源区为半导体，所述源极接触区和所述漏极接触区为导体，所述源极接触区和所述漏极接触区在所述衬底基板上的正投影与所述开孔在所述衬底基板上的正投影重叠。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求6或7所述的薄膜晶体管。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的阵列基板。